第6章半导体晶体管.ppt

联系方式 2.半导体的基本特性 （1）热敏特性 （2）光敏特性 （3）掺杂特性 PN结的形成由于P区的多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N区多数载流子是电子，少数载流子是空穴，这就使交界面两侧明显地存在着两种载流子的浓度差。因此，N区的电子必然越过界面向P区扩散，并与P区界面附近的空穴复合而消失，在N区的一侧留下了一层不能移动的施主正离子；同样，P区的空穴也越过界面向N区扩散，与N区界面附近的电子复合而消失，在P区的一侧，留下一层不能移动的受主负离子。扩散的结果，使交界面两侧出现了由不能移动的带电离子组成的空间电荷区，因而形成了一个由N区指向P区的电场，称为内电场。随着扩散的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，由于内电场的作用是阻碍多子扩散，促使少子漂移，所以，当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，将形成稳定的空间电荷区，称为PN结。 思考 PN结形成与单向导电性 一、晶体管的结构和符号 3、大功率金属封装三极管 极性识别如图，其中外壳是c 一、场效应管（以N沟道为例） 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 转移特性 输出特性 2. MOS型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型 MOS管 MOS管的特性 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 6.4 晶闸管 6.4.2 单向晶闸管的基本结构 工作原理 晶闸管的典型应用 20.2.1 单相半波可控整流 1. 电阻性负载 (2) 工作原理 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 FET 场效应管 JFET 结型 绝缘栅型 MOSFET 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 N 沟道增强型 S G D B iD P 沟道增强型 S G D B iD 2 – 2 O uGS /V iD /mA UGS(th) S G D B iD N 沟道耗尽型 iD S G D B P 沟道耗尽型 UGS(off) IDSS uGS /V iD /mA – 5 O 5 FET 符号、特性的比较 N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS UGS(off) 1.6.3 场效应管的主要参数 开启电压 UGS(th)(增强型) 夹断电压 UGS(off)(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 UGS(th) UGS(off) 2. 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /V iD /mA O UGS(th) UGS(off) 3. 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间的外加直流电压与栅极电流之比 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /V iD /mA O 4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q O PDM = uDS iD，受温度限制。 5. 输出电阻 rds 6. 最大漏极功耗 PDM uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源 1. 基本共源放大电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 即典型的Q点稳定电路 晶闸管 （Silicon Controlled Rectifier） 半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 优点： G 控制极 K 阴极 G 阳极 A P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 晶闸管是具有三个PN结的四层结构, 其外形、结构及符号如图。 (c) 结构 (a) 外形 晶闸管的外形、结构及符号 三 个PN  结 K G