五半导体器件.ppt

5.1.2 N型半导体 5.1.2 P 型半导体 （一）PN结 1 PN结的形成 （二） PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 5.2.2 伏安特性 5.2.3 主要参数 二极管电路分析举例 5.3 稳压二极管 5.4 半导体三极管 5.4.1 基本结构 5. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管处于放大状态的外部条件 1. 输入特性 2. 输出特性 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 5.4.3 三极管的特性曲线 下一页 总目录 章目录 返回 上一页 第5章 半导体器件 5. 3 特殊二极管 5.4 双极型晶体管 5.2 半导体二极管 5.1 半导体的基础知识 第5章 半导体二极管和三极管 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的工作原理和特性曲线； 三、会分析含有二极管的电路。 方法：对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。 5.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si 价电子 5.1 半导体的基础知识 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 空穴 自由电子 (1)半导体中存在两种载流子，带负电的自由电子和带正电的空穴。 (2)在本征半导体中两种载流子是成对出现的，两者数量相等。 (3) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (4) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 注意： 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 P 型半导体结构示意图 电子是少数载流子 负离子 空穴是多数载流子 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 1. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 外电场 P接负、N接正 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － – + PN 结变宽 外电场 内电场被加强，少子的漂移加强，由