西南科技大学的电力电子技术.pptx

电力——交流和直流两种 从公用电网直接得到的是交流，从蓄电池和干电池得到的是直流。 ;电力电子器件（Power Electronic Device） ——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。;通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。;电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。;三、电力电子器件的 分类;基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。; 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。; 在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 3） 反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时，应当留有两倍的裕量。 4）反向恢复时间trr trr= td+ tf; 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 6) 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 ;1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长,一般5μs以上. 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高(Kv/kA). ; 简称快速二极管 快恢复外延二极管 （Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其trr更短（可低于50ns）， UF也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。; 肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns）。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。 ;1.3 半控器件—晶闸管·引言;1.3半控型器件—晶闸管（Thyristor或SCR）;1.3.3 晶闸管的主要参数;1.3.3 晶闸管的主要参数（2）;1.3.3 晶闸管的主要参数（3）;1.3.4 晶闸管的派生器件;1.3.4 晶闸管的派生器件（2）;1.3.4 晶闸管的派生器件（3）;1.3.4 晶闸管的派生器件;1.3.2 晶闸管的基本特性小结; 定义SCR额定电流时是在规定的条件下。 不同形式的整流电路带不同类型的负载，具有不同的导通角，流过晶闸管的电流波形不一。额定电流定义是在工频正弦半波情况下通过SCR的最大平均电流，所以实际允许的平均电流与额定电流是有差别的。;;例1.1 ;解： 电流平均值为： 电流有效值为：;例:ＫＰ２００－８B :表示额定电流２００Ａ／额定电压８００Ｖ／管压降0.4v~0.5v的普通晶闸管.;管子额定电流的选择： (1).按电流有效值相等的原则选择晶闸管； (2).留裕量，取1.5-2倍后取整 (3) .额定电流等级： 50A以下:1、5、10、20、30、40、50A； 100~1000A:100、200、300、400、500、600、800、1000A。;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.1 门极可关断晶闸管;1.4.2 电力晶体管;1.4.2 电力晶体管(GTR);与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。;1.4.3 电力场效应晶体管(P-MOSFET);1.4.3 电力场效应晶体管;1.4.3 电力场效应晶体管; 概述;1.4.3 电力场效应晶体管;1.4.3 电力场效应晶体管;控制特性：电压控制型，高输入电阻，较大输 入电容。 性能参数：高速