NAND FLASH芯片控制器制 驱动的设计与实现.doc

xxxx 大 学 毕业论文开题报告 学 生 姓 名： xx 学 号： xxxxxxxx 学 院、系： 信息与通信工程学院光电工程系 专 业： 电子信息科学与技术 论 文 题 目： NAND FLASH芯片控制器控制 驱动的设计与实现 指导教师: xxxxxxx 2011 年 3 月 20 日 毕 业 论 文 开 题 报 告 1．结合毕业论文情况，根据所查阅的文献资料，撰写2000字左右的文献综述： 文 献 综 述 一、本课题研究背景及意义 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级[1]。 NandFlash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成NandFlash控制器成为一种趋势。(例如MP3)的嵌入式储存也成为NAND Flash发展的另一主流。过去几年NAND Flash产业呈现商速成长的状况，NAND Flash阻外接记忆卡、内建在装置内作为储存媒介等方式，主要集中应用在数字相机、移动电话、随身碟和MP3和PMP播放器。2006年，三星开始向笔记本电脑厂商以及数码设备厂商供应容量达32GB的NAND FLASH,可以预测，NAND Flash凭借其稳定性、低功耗以及无噪音的优良特性，将开始从超轻薄与超小型机种开始，逐步替代笔记本电脑的传统硬盘口[3]。 二、NAND FLASH的国内、外发展状况 在平板机尚未面市之前，智慧型手机以及数码相机一直是NAND FLASH主要的需求来源，可是随着iPad的热卖，以及后续平板机的上市， NAND FLASH的消耗量在持续成长。 从产品的规格来看，平板机与平板电脑未来内建NAND FLASH的比例将达100%。 比起三年前小笔电刚开始采用NAND FLASH的情况，有些类似，但是从外型与功能来看，由于平板机中快闪记忆体平均密度较高且更必须采用，所以平板机领域的NAND FLASH未来规模将会更大。 根据市场研究机构IHS iSuppli 研究报告称：平板电脑与平板机所消耗NAND FLASH的需求量将由2010年4.768亿GB，窜升至2011年的23 亿GB；若以1 GB等量单位进行计算，则需求量的成长幅度达4.8倍。 此外，其进一步预估至2014年时，平板电脑与平板机所消耗NAND FLASH的需求量将可达123亿GB。 NAND FLASH用在平板机产品之上，主要目的是用作储存电子书籍、数位照片、数位音乐、高画质影像与应用程式档案等资料使用。 根据统计，整体NAND FLASH的供应量当中，使用在平板机产品上的比例为4.3%，预计2011年将成长至11.8%，而2014年更可爬升至16%。 2010年由于苹果iPad出货量高达1480万台，所以2010年平板机的NAND FLASH需求来源当然是iPad。 可是进入2011年之后，Android平板机将成为另外一支促进NAND FLASH消耗的产品。 根据IHS iSuppli统计，每一台iPad所需要NAND FLASH的容量是41.5 GB。 而非iPad的平板机所需容量为27.1 GB。 而以微软的Windows 7为主的平板电脑，于2010年底之后陆续有三星、惠普、联想有推出相关产品，其NAND FLASH的需求量介于32至64 GB之间。 根据其他分析师表示，NAND FLASH的需求于2011年因为智慧型手机快速成长，以及平板电脑与平板机需求爆发而增加。 三、NAND FLASH原理及分析 1 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片NAND Flash为一个设备, 其数据存储分层为：1设备=4 096块；1块=32页;1页=528字节=数据块大小(512字节)+OOB块大小(16字节)。在每一页中，最后16字节（又称OOB，Out of Band）用于NAND Flash命令执行完后设置状态用，剩余512字节又分为前半部分和后半部分。可以通过NAND Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位，通过NAND Flash内置的指针指向各自的首地址。图1为Nand Flash存储空间结构图 图1.Nand Flash存储空间结构图 存储操作特点有： 擦除操作的最小单位是块；NAND Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除(擦除即是将相应块的位全部变为1)；OOB部分的第6字节(即5