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薄膜材料研究进展 宣讲人：宿鹏 薄膜材料研究进展 1 前言 2 导电薄膜研究进展 3 纳米薄膜研究进展 4 化合物薄膜研究进展 5 其他薄膜研究进展 1.前言 近20年，随着各种成膜技术的迅速发展，各种材料的薄膜化已成为一种普遍的趋势。薄膜化利于器件小型化，轻量化和集成化，具有显著不同于块状材料的性质。 2.导电薄膜材料 2.1 透明导电薄膜（TCO） 透明导电薄膜，既具有可见光范围光学透明性，又具有良好的导电性。因此已被广泛地应用于光电子器件中。例如，用作太阳电池、平板显示屏、触摸屏和LED等器件的透明电极。在光电子产业中，它占了重要的地位，给社会带来了巨大的经济效益，据估计透明导电膜的相关产品年销售量达3亿美元。 常见的透明导电薄膜为ITO（锡掺杂三氧化铟）、AZO(铝掺杂氧化锌)等，它们的禁带宽度大，只吸收紫外光，不吸收可见光，因此称之为“透明”。 2.1.1 掺锡的In2O3薄膜 ITO薄膜是目前研究和应用最广泛的透明导电薄膜，它的电阻率介于10 - 3 ~ 10 – 4 Ω·cm 之间，可见光的透射率达85%以上。 锡掺杂量为10%（原子分数）时，ITO 薄膜具有最优的光电性能。 掺铝的ZnO 薄膜（AZO）是目前性能最好的氧化锌系薄膜 AZO 薄膜将会成为ITO薄膜的替代品。 AZO 薄膜中分别掺杂Cr 和Co，研究发现薄膜的抗蚀性提高，并且同样能获得低的电阻率。 用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路（ULSI）的互连延迟、串扰和能耗。 低介电常数介质的采用已成为必然趋势。 低介电常数材料应与集成工艺兼容，因此在开发新型材料、提高现有材料的综合性能、解决与ULSI 工艺兼容等方面都有许多工作要做。 2.3 新型聚合物热释电薄膜材料 随着激光和红外技术的发展，热释电效应及其应用的研究不断深入，性能优良的热释电探测器和热释电摄像管等器件已广泛应用于军工和国民经济各个相关领域。热释电材料的薄膜化，能降低材料体积比热，有助于提高热释电探测器的灵敏度，提高集成度，因而热释电薄膜材料及其应用研究越来越广泛，已成为材料科学活跃的研究课题之一 3.纳米薄膜 ——纳米薄膜是指由尺寸为纳米数量(1~100 nm)的组元镶嵌于基体所形成的薄膜材料，它兼具传统复合材料和现代纳米材料二者的优越性。 3.1 纳米Ti02薄膜 液相制备方法 溶胶-凝胶胶法(Sol-Gel) 近年来出现了表面活性剂辅助溶胶-凝胶技术。溶胶中表面活性剂覆盖在二氧化钛前驱体周围，可以减慢水解和凝胶速率，并可作为致孔剂，使TiO2，形成多孔的无机网络结构。 ② 液相沉积法(LPD) 该方法只需在适当反应液中浸入基片，成膜过程不需要热处理，操作简单。 水解·沉淀法 原料比较廉价，膜层结构均匀 回流胶溶液相成膜法 该方法通过液相一步合成晶态纳米TiO2粉体，并利用该粉体分散于溶液中制成溶胶，可在低温下制备出纳米尺寸的TiO2薄膜。 物理方法 磁控溅射法 可在大面积基底上制膜 电子束蒸发沉积 是制备高晶氧化物薄膜很有潜力的技术，该技术可在较高的沉积速率下制备薄膜，并通过调节基体温度和氧气压力等控制薄膜组成。 脉冲激光沉积法(PLD) 离子束团柬技术(ICB) 3.1.2 纳米TiO2超亲水薄膜 纳米TiO2薄膜的改性方法 金属离子掺杂 非金属离子掺杂 共掺杂 金属一非金属离子共掺杂或两种非金属离子掺杂 复合半导体 本质上是一种颗粒对另一种颗粒的修饰。采用带隙较窄的半导体来修饰TiO2，因混晶效应，提高催化活性和改变晶体结构，从而使其超亲水性能得到提高。 有机物掺杂 增加粗糙度以呈现出超亲水性. 前景 半导体改性是改善TiO2薄膜超亲水性能的关键因素。由于改性的研究涉及到催化、材料、光化学和环境等多个靴具有相当的难度，要使超亲水涂料薄膜广泛地在实际生产中得到应用，需要继续研究各种改性技术，进一步提高其活性、稳定性和应用的可能性。 3.2 纳米多孔二氧化硅绝热薄膜 作为微电子机械系统(MEMS)技术中最有潜力的绝热材料，纳米多孔二氧化硅薄膜近年来引起了广泛的关注。 这源于二氧化硅气凝胶是一种轻质纳米多孔非晶材料，具有独特的微观结构。纳米多孔二氧化硅薄膜作为二氧化硅气凝胶的薄膜形态 几乎继承了其所有的优异特性。 可用于涂层 高效绝热层 声阻抗耦合材料低介电常数绝缘层 超高速集成电路基片以及分离薄膜 过滤薄膜 催化薄膜等。 因此，在光学 热学 声学电学和化学等领域具有广阔的应用前景 。 4. 化合物薄膜 在过去几十年中，CdTe和CIGS薄膜太阳能电池在光伏领域受到广泛研究，且CIGS薄