第五章--硅材料及其太阳电池技术2-铸造多晶硅中的杂质和缺陷、制备.pdfVIP

光伏物理与太阳电池技术 IPV/NCU 黄海宾，王 立 haibinhuang@ncu.edu.cn 第五章硅材料及其太阳电池技术 2 －铸造多晶硅 IPV/NCU 目 录 IPV/NCU  铸造多晶硅简介  铸造多晶硅中的杂质和位错 铸造多晶硅简介 IPV/NCU  铸造多晶硅简介  铸造多晶硅是利用浇注或定向凝固的铸造技术，在方形坩埚中制 备晶体硅材料  其生长简便，易于大尺寸生长，易于自动化生长和控制，并且很 方便切成方形硅片；  材料损耗小，同时铸造多晶硅生长时相对能耗小，促使材料的成 本进一步降低，而且铸造多晶硅技术对硅原料纯度的容忍度要比 直拉单晶硅高。  但是，其缺点具有晶界、高密度的位错、微缺陷和相对较高的杂 质浓度，降低了转换效率。 铸造多晶硅简介 IPV/NCU  铸造多晶硅简介 铸造多晶硅简介 IPV/NCU  铸造多晶硅简介  铸造多晶硅和直拉单晶硅的比较 17~19% 16~18% 铸造多晶硅简介 IPV/NCU  铸造多晶硅简介  铸造多晶硅技术 铸造多晶硅技术进步使得用其制备的太阳电池的效率不断提高。  材料技术方面：平面固液界面技术和氮化硅涂层技术等技术的应 用，使得材料尺寸不断加大；  在电池方面，SiN减反射技术、氢钝化技术、吸杂技术等的开发 和应用，使得铸造多晶硅材料的电学性能有了很大的改善 铸造多晶硅简介 IPV/NCU  铸造多晶硅简介  铸造多晶硅的制备工艺  浇铸法：在一个坩埚里将硅原 料熔化，然后浇铸在另一个经 过预热的坩埚内冷却，通过控 制冷却速率，采用定向凝固技 术制备大晶粒的铸造多晶硅；  直接熔融定向凝固法（布里奇 曼法），SiN减反射技术、氢 钝化技术、吸杂技术等的开发 和应用，使得铸造多晶硅材料 的电学性能有了很大的改善 铸造多晶硅简介 IPV/NCU  铸造多