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课题一: 晶体二极管补充内容讲义稿 2011、9、1 知识产权所有人： 许长斌 一、半导体知识： 1. 教学目标: 1、理解半导体材料的三大特性。 2、了解PN结的单相导电性。 2. 知识要点：1、最常用的是硅和锗两种半导体材料。 2、半导体材料的三大特性：热敏特性，光敏特性，掺杂特性。 3、半导体的分类：本征半导体、P型半导体、N型半导体 4、半导体中参与导电的粒子（载流子）：自由电子和空穴。 5、PN结的单向导电性：PN结正向偏置时，耗尽层变窄，电阻很小，处于导通状态；PN结反向偏置时，耗尽层变宽，电阻很大，处于截止状态。 3. 典型例题： 掺杂半导体中少数载流子浓度主要与 本征激发 有关系，多数载流子的浓度主要与 掺入杂质 有关系。 半导体中存在 空穴 和 自由电子 两种载流子，若 自由电子 数量大于 空穴 ，则为N型半导体，又称为 自由电子 型半导体。 3. PN结加正向电压时，耗尽层变 窄 ；加反向电压时，耗尽层变 宽 。 评注: 理解PN结在外加电场作用下的宽窄变化,对后面的场效应管的的工作原理的掌握有一定的理论基础. 二、晶体二极管： 1. 教学目标： 1、理解晶体二极管的伏安特性和主要参数，掌握硅、锗二极管的门坎电压和正向导通压降。 2、掌握晶体二极管的简易测试方法及电路的简单计算。 图 1.2.5　二极管的伏安特性 正向特性 　　由图可以看出，当所加的正向电压为零时，二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区 当正向电压升高到一定值Vth以后内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。Vth被称为门限电压或阀电压。Vth视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.5V左右，锗管为0.1V左右。通常，硅管的导通电压约为0.6～0.8V，一般取为0.7V；锗管的导通电压约为0.1～0.3V一般取为0.2V。反向特性　　当二极管两端外加反向电压时，反向电流很小，且在一定的范围内几乎不随反向电压的增大而增大。常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数量级。 反向击穿特性　　当反向电压增大到一定数值VBR时，此时的VBR电压值叫做击穿电压，VBR视不同二极管而定，普通二极管一般在几十伏以上且硅管较锗管为高。 击穿特性的特点是，虽然反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小，这一特点成为制作稳压二极管的依据。4）、温度对二极管伏安特性的影响　　二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。Ω档”，一般用Ω或Ω两档。 一般不用Ω，Ω，Ω档。用Ω或Ω两档测同一二极管的正向电阻时，Ω档测得的结果大。 3. 典型例题： 用万用表不同欧姆挡测量同一只二极管时，所测得的阻值不同，究其原因是（C） 二极管的质量差 万用表不同欧姆挡有不同的内阻 二极管有非线性的伏安特性 万用表是坏的 评注：有B、C两个原因导致结果不同，但主要原因是 C。如换成电阻元件就不会出现此现象。 用指针式万用表的两表棒分别接触一个正常工作的二极管的两端，当测得的电阻值较小时，红表笔所接触的一端是二极管的 　负　 极。 评注：注意万用表使用欧姆档时，红黑表笔分别接表内部电源的负极和正极。 图示电路中，V为理想二极管，S闭合时， P点的电位是 0 伏； S打开时，P点的电位是 5 伏。 电路原理如图示，设二极管的正向压降VF=0.7V，试求A点电位和流过二极管的电流。 解：断开二极管 所以二极管导通 5、电路如右图所示，判断开关断开和闭合时， 二极管的状态，并计算流过二极管的电流。 评注： 求解时，在二极管断开前后，学生容易混淆A点的电位， 利用节点电流方程解题。 6、电路如图所示，试确定二极管是导通还是截止。设二极管导通时的压降为0.7V，估算VA、VO、VAB的值。 7. 写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T1.3 解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。 评注：掌握解题的一般思路：先设参考点电位，再断开二极管，确定正负极电位，判断二极管状态。 三、晶体二极管限幅电路： 教学目标： 1、熟练掌握二极管的限幅电路的分析及输