真空镀膜术语.docx

真空镀膜技术 6.1一般术语6.1.1真空镀膜vacuum coating：在处于真空下的基片上制取膜层的一种方法。6.1.2基片substrate：膜层承受体。6.1.3试验基片testing substrate：在镀膜开始、镀膜过程中或镀膜结束后用作测量和（或）试验的基片。6.1.4镀膜材料coating material：用来制取膜层的原材料。6.1.5蒸发材料evaporation material：在真空蒸发中用来蒸发的镀膜材料。6.1.6溅射材料sputtering material：有真空溅射中用来溅射的镀膜材料。6.1.7膜层材料(膜层材质)film material：组成膜层的材料。6.1.8蒸发速率evaporation rate：在给定时间间隔内,蒸发出来的材料量,除以该时间间隔6.1.9溅射速率sputtering rate：在给定时间间隔内,溅射出来的材料量,除以该时间间隔。6.1.10沉积速率deposition rate：在给定时间间隔内,沉积在基片上的材料量,除以该时间间隔和基片表面积。6.1.11镀膜角度coating angle：入射到基片上的粒子方向与被镀表面法线之间的夹角。6.2工艺6.2.1真空蒸膜vacuum evaporation coating：使镀膜材料蒸发的真空镀膜过程。6.2.1.1同时蒸发simultaneous evaporation：用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发。6.2.1.2蒸发场蒸发evaporation field evaporation：由蒸发场同时蒸发的材料到基片上进行蒸镀的真空蒸发(此工艺应用于大面积蒸发以获得到理想的膜厚分布)。6.2.1.3反应性真空蒸发reactive vacuum evaporation：通过与气体反应获得理想化学成分的膜层材料的真空蒸发。6.2.1.4蒸发器中的反应性真空蒸发reactive vacuum evaporation in evaporator：与蒸发器中各种蒸发材料反应,而获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发。6.2.1.5直接加热的蒸发direct heating evaporation：蒸发材料蒸发所必须的热量是对蒸发材料(在坩埚中或不用坩埚)本身加热的蒸发。6.2.1.6感应加热蒸发induced heating evaporation：蒸发材料通过感应涡流加热的蒸发。6.2.1.7电子束蒸发electron beam evaporation：通过电子轰击使蒸发材料加热的蒸发。6.2.1.8激光束蒸发laser beam evaporation：通过激光束加热蒸发材料的蒸发。6.2.1.9间接加热的蒸发indirect heating evaporation：在加热装置(例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等)中使蒸发材料获得蒸发所必须的热量并通过热传导或热辐射方式传递给蒸发材料的蒸发。6.2.1.10闪蒸flash evaportion：将极少量的蒸发材料间断地做瞬时的蒸发。6.2.2真空溅射vacuum sputtering：在真空中，惰性气体离子从靶表面上轰击出原子（分子）或原子团的过程。6.2.2.1反应性真空溅射 reactive vacuum sputtering：通过与气体的反应获得理想化学成分的膜层材料的真空溅射。6.2.2.2 偏压溅射bias sputtering：在溅射过程中，将偏压施加于基片以及膜层的溅射。6.2.2.3 直流二级溅射direct current diode sputtering：通过二个电极间的直流电压，使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射。6.2.2.4非对称性交流溅射asymmtric alternate current sputtering：通过二个电极间的非对称性交流电压，使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极。6.2.2.5高频二极溅射high frequency diode sputtering：通过二个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射。6.2.2.6热阴极直流溅射（三极型溅射）hot cathode direct current sputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电所产生的离子，由在阳极和阴极（靶）之间所施加的电压加速而轰击靶的溅射。6.2.2.7 热阴极高频溅射（三极型溅射）hot cathode high frequency sputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电产生的离子，在靶表面负电位的作用下加速而轰击靶的溅射。6.2.2.8离子束溅射ion beam sputtering：利用特殊的离子源获得的离子束使靶的溅射。6.2.