基于SiC+MOSFET的驱动及缓冲电路设计与实验研究.docxVIP

中国电源学会第二十届学术年会论文集基于 SiC MOSFET 的驱动及缓冲电路设计与实验研究刘永迪，边境，李虹， 刘学超（北京交通大学电气工程学院，北京 100044；CREE 香港有限公司）Email：mailto11121634@mailto:hli@hli@摘 要 新一代宽禁带 SiC 半导体开关器件以其在高压、高频、高温等方面的显著优势而得到越来越广泛的研究和认可，能否根据 SiC 开关器件特性设计出性能良好的驱动电路是 SiC 器件应用的关键。本文针对 SiC MOSFET(CMF10120D)，结合器件参数对其驱动电路进行了设计，并利用高速驱动芯片 IXDI414 搭建了 SiC MOSFET 的驱动实验电路，实验表明在 MOSFET 关断瞬间 VDS 存在较大的电压尖峰和震荡，因此，本文 进一步对 SiC MOSFET 进行了缓冲电路设计，通过加入合适的 RC 缓冲电路，达到了良好的尖峰抑制效果。 最后，针对工作在不同频率下的 SiC MOSFET 对本文设计的驱动电路及缓冲电路进行了实验验证，实验结果 证明本文设计的驱动电路及缓冲电路能很好的实现 SiC MOSFET 的开关控制，这对 SiC MOSFET 的进一步推 广应用奠定了基础。关键词 SiC MOSFET，驱动电路，电压尖峰及震荡，RC 缓冲电路1．引言随着电力电子技术的高速发