半导体超导及其应用.pptVIP

* 半导体的电阻随温度的降低而增大 半导体材料：锗、硅、砷化镓、锑化铟等 半导体的导电性能介于导体与绝缘体之间，且半导体的导电性能受外界条件影响很大，除了温度外，用光照射半导体，在半导体中掺入微量的其他物质，都会使半导体的导电性能发生显著的变化。 半导体材料的电阻率随温度升高而减小，称为半导体的热敏特性 半导体材料的电阻率随光照而减少，称为半导体的光敏特性 半导体材料中掺入微量杂质也会使它的电阻率急剧变化，称为半导体的掺杂特性 GodSon 龙芯 （狗剩） 在20世纪初，金属导电理论认为：金属电阻随温度降低而减小，同电子运动随温度的变化规律一致。按这种理论，温度降到绝对零度时电子将“凝聚”在原子上，电阻为极大，金属会成为绝缘体。 1908年，荷兰莱顿大学的卡茂林-昂尼斯首次实现氮的液化，获得了4.2K（-268．8℃）的低温，为研究低温条件下物质导电创造了条件。他发现几种金属导体（铅、铝）的电阻率随温度降低而减小，直至冷却到液态空气温度 80K时仍维持不变。 1911年，卡茂林-昂尼斯发现，将汞冷却到 -268.98℃时，汞的电阻突然消失；后来他又发现许多金属和合金都具有与上述汞相类似的低温下失去电阻的特性。1913年，卡茂林-昂尼斯在诺贝尔领奖演说中指出：低温下金属电阻的消失“不是逐渐的，而是突然的”，“水银在4.2K进入了一种新状态，由于它的特殊导电性能，可以称为超