半导体中的载流子的统计.pptVIP

（3）强电离区(大部分杂质电离 本征激发未发生) a）强电离区电子浓度和费米能级 EF由T和ND共同决定 如果T一定， ND↑， EF ↑ ，EF向EC靠近 如果ND 一定， T ↑， EF ↓ ，EF向Ei靠近 E Ev Ei b）饱和电离--杂质(几乎)全部电离 饱和电离的范围: 下限: 杂质接近全部电离 nD 0.1ND 上限: 本征激发可忽略 ni 0.1ND 杂质电离程度 T高，ND小，电离程度高 T低，ND大，电离程度小 T高，ND大，具体分析 T低，ND小，具体分析 标准：P→Si D-=10% ND=3×1017cm-3 若ND=1016cm-3 D-=？ （4）过渡区 温度继续升高,本征激发已不能忽略 nD + = ND 电中性条件为: n0 = p0+ ND 仍有 T↗, EF↘ a）导带电子浓度、价带空穴浓度 b）EF表达式 求NC（通过本征情况求NC） c）少数载流子浓度 n型半导体 n0