热处理气氛对溶胶-凝胶法制备a-InGaZnO TFT器件影响.pdfVIP

助 雪孝 抖 2013年第3期(44)卷 热处理气氛对溶胶一凝胶法制备 a—InGaZnOTFT器件的影响 李 倩，李喜峰，张建华 (上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 ，上海 200072) 摘 要： 采用溶胶一凝胶法制备 了非晶铟镓锌氧化物 2 实 验 (a—IGZO)薄膜，通过热重一差热示差技术分析 了a—IGZO 形成机理，并研究了热处理对a—IGzO薄膜的结构和光 2．1 IGZO溶胶的制备 电性能影响。并用于薄膜 晶体管(TFT)的有源层，制 采用乙二醇 甲醚 (国药集团化学试剂有 限公司)作 备的aIGZOTFT，其具有明显的转移特性 ，其关态电 为溶剂 ，二水硝酸锌 (国药集团化学试剂有限公司)作 流为 10 A，退火能够改善 a—IGZOTFT器件性 能， 为锌源，Ga(NO3)3· H2O(Sigma—Aldrich)作为镓 器件的开关比提 高了两个数量级。 源，In(NO。)。·4．5H O为铟源 (国药集团化学试剂有 关键词 ： 溶胶一凝胶法 ；a—IGZO薄膜 ；薄膜晶体管 限公司)，单乙醇胺 (国药集团化学试剂有限公司)为稳 中图分类号： TN3 文献标识码 ：A 定剂 。如 图 1所 示 ，首 先将 0．0045mol／I的 Ga 文章编号 2013)03—0442—04 (NO。)s· HzO溶于 60mI乙二醇 甲醚 中，室温搅 拌，待 Ga(NO。)。·37H O完全溶解于乙二醇 甲醚形 1 引 言 成无 色透 明溶 液 后 ，再 加 入 0．0045mol／L 的 In 作为平板显示 ，微电子技术的基础器件 ，薄膜晶体 (NOs)。·4．5H。O，室温搅拌 ，待形成无色透 明溶液 管(thinfilmtransistor，TFT)已经成为广大研究学者 后，再加入 0．009mol／L的二水硝酸锌 ，待形成无色透 的焦点。而在薄膜晶体管中有源层的性能对器件的性 明溶液后 ，逐滴加入单乙醇胺稳定剂 。水浴 70C搅拌 能起着关键 的作用，目前商业 已投产并广泛应用 的多 1h，室温时效 24h，形成淡黄色透明IGZO溶胶。 为氢化非晶硅材料 ，多晶硅材料。但是 ，氢化非晶硅 的 Ga(NO3)3·xH=O 迁移率较低 ，一般小于 lcm ／(V ·S)，且稳定性较 差 【】。而低温多晶硅材料由于晶体材料 中晶界的存在 无色透明溶液 J 导致薄膜迁移率及阈值 电压的均一性较差 ，而且生产 — — In(NO3)3·4．SH20 室温搅拌至 1 成本较高 ，也存在较大的问题l2J。近年来，非晶氧化锌 无色透明溶液J 基半导体材料由于其独特的优点：高的迁移率、好的环 I÷———_-{Zn(OAc)2·2H20 重温搅挥至 1 境稳定性以及高的透过率 ，成为最有前景的TFT器件 无色透明溶液 j 的有源层材料 。自从 Hosono课题组研究出具有 MEA逐滴加入