热处理温度对Ni-Mn-Ga-Co薄膜性能影响.pdfVIP

总第156期 Llj西冶金 Total156 2015年第4期 SHANXIMETALLURGY No．4，2015 DOI：10．16525／j．cnki．cnl4—1167／tf．2015．04．04 热处理温度对Ni—Mn—Ga-Co薄膜性能的影响★ 张 馨， 张敏刚， 郭艳萍， 孙 娜， 宫长伟， 陈峰华 (太原科技大学材料科学与工程学院， 山西 太原 03oo24) 摘 要：采用磁控溅射技术在p型si(1o0)基片上制备了掺杂Co的Ni—Mn—Ga薄膜，对制得的薄膜进行不同温 度的热处理，并分析研究各种薄膜的表面形貌 以及磁性能的异同。研究发现：在不同的退火温度下。 Ni—Mn—Ga—Co薄膜表面颗粒的生长都比较均匀；薄膜在1073K退火1h的情况下，磁性能最强，随着退火温度 的变高或变低，磁性能都有所减弱；当退火温度为1073K时，居里温度最高，为350K。 关键词：Ni—Mn—Ga—Co薄膜 退火温度 磁性能 中图分类号：TG156．2 文献标识码：A 文章编号：l672一l152(2o15)o4-oooo一03 磁性形状记忆合金(MagneticShapeMemoryAI 1 试验方法 ， loys，MSMA)作为一类广泛应用的新型形状记忆材 采用P型 (100)单 晶硅片作为基片 ，分别用 料 ，不但具有传统形状记忆合金受温度场控制的热 V(HF)：V(H0)=1：10的酸性清洗液、丙酮和酒精对 弹性形状记忆效应 ，而且具有受磁场控制的磁性形 基片超声清洗5min，干燥后立即放入磁控室。通过 状记忆效应n。Ni—Mn—Ga是发现最早 、研究最深 在靶材上放置小片的Co丝实现co掺杂溅射 ，将制 入、最具代表性的磁性形状记忆合金n。Ni—Mn—Ga 得的薄膜分别在 1073、973、923,873、1173K下退 合金的最大磁致应变可达到9．4％r3]，最高响应频率 火并保温 1h，随炉冷却至室温，将五种温度下退火 可达5000Hz悖，与传统的形状记忆合金相比，具有 的五种薄膜分别编号为 l号、2号、3号、4号 、5号。 较 高 的响应频率 以及较好 的磁致伸缩性 能 。 实验工艺参数 ：溅射功率为 180W，氩气气压为0．8 Ni—Mn—Ga合金薄膜的出现弥补了块体材料较难加 Pa，靶间距为65mm，衬底负偏压为 10V，本底真空 工的缺点，目前已经成功运用于MEMS领域的微驱 度为2．0~10-Pa。 动器中…。 利用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌 制备工艺 的不 同 以及掺杂元素 的不 同对 以及均方根粗糙度 ，应用振动样品磁强计 (VSM)测 Ni—Mn—Ga薄膜的性能产生不同的影响。M．Ohtsuka~、 试薄膜磁性能。 尧健㈨、陈峰华订等分别将 Fe、Gd、Sm掺杂到 2 实验结果与讨论 Ni—Mn—Ga薄膜中研究薄膜性能的改变。本文所介 2．1 热处理温度的不同对Ni—Mn—Ga-Co薄膜表面 绍的研究将co元素掺杂到Ni—Mn—Ga薄膜中，在不 形貌的影响 同的温度下对薄膜进行热处理 ，研究热处理温度对 下页图1是不同热处理温度下Ni—Mn—Ga—Co薄 Ni…MnGaCo薄膜性能的影响。 膜的表面形貌图。从图1中可以看出，薄膜表面均 呈现出球状的颗粒 ，五种薄膜的表面颗粒都