巨磁电阻效应实验讲义.docVIP

巨磁电阻效应实验讲义 一．概述 2007年10月，法国科学家阿尔贝.费尔和德国科学家彼得.格林贝格尔因分别独立发现了巨磁电阻效应而共同获得了2007年诺贝尔物理学奖。由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻效应。巨磁电阻，比磁电阻高。如今，电脑、等各类数码电子产品所装备的硬盘，基本上都应用了巨磁电阻，与相比，具有等优点。比磁电阻高Fe,Co,Ni等）和非磁性金属层（Cr,Cu,Ag等）交替制成的，相邻铁磁金属层的磁矩方向相反。这种多层膜的电阻随外磁场变化而显著变化。当外磁场为零时，材料电阻最大；当外磁场足够大时，原本反平行的各层磁矩都沿外场方向排列，材料电阻最小。 （a） 外加磁场为零时，巨磁电阻材料呈高阻态 （b）外加饱和磁场时，巨磁电阻材料呈低阻态 图1 二流体模型对巨磁电阻效应的解释 巨磁电阻效应可以由二流体模型来解释。在铁磁金属中，导电的s电子要受到磁性原子磁矩的散射作用，散射的几率取决于导电的s电子自旋方向与薄膜中磁性原子磁矩方向的相对取向。即自旋方向与磁矩方向一致的电子受到的散射作用很弱，自旋方向与磁矩方向相反的电子则受到强烈的散射作用，而传导电子受到的散射作用的强弱直接影响到材料电阻的大小。 根据二流体模型，传导电子分成自旋向上和自旋向下两种，由于多层膜中非磁性金属层对两组自旋状态不同的传导电子的影响是相同的，所以只考虑磁层的影响。外加磁场为零时，相邻铁磁层的磁矩方向相反，如图1a所示，两种电子都在穿过与其自旋方向相同的磁层后，在下一磁层受到强烈的散射，宏观上看，巨磁电阻材料处于高电阻状态。当外加磁场足够大时，如图1b所示，原本反平行排列的各磁层磁矩都沿外磁场方向排列，一半电子可以穿过许多磁层只受到很弱的散射，另一半在每一层都受到很强的散射，宏观上，材料处于低电阻状态。这样就产生了巨磁电阻现象。 巨磁电阻传感器 本仪器所用巨磁电阻传感器采用惠斯登电桥和磁通屏蔽技术。传感器基片上镀了一层很厚的磁性材料，这层材料对其下方的巨磁电阻形成屏蔽，不让任何外加磁场进入被屏蔽的电阻器。惠斯登电桥（见图2a）由四只相同的巨磁电阻组成，其中和在磁性材料的上方，受外磁场作用时电阻减小，而和在磁性材料的下方，被屏蔽而不受外磁场影响，电阻不变。 （a）惠斯登电桥图示 （b）惠斯登电桥等效图 图2 巨磁电阻传感器示意图 由巨磁电阻传感器输出电压，得到电阻相对变化率的最大值： 由图2a可知： （1） 当外磁场为0时，，传感器输出为0；当外磁场不为0时，未被屏蔽的巨磁电阻,电阻值随磁场增加而减小，被屏蔽的巨磁电阻，电阻值不随磁场变化。由公式（1）得到： （2） 由公式（2）得到： = （3） = （4） 测量不同磁场下的巨磁电阻阻值，得到电阻相对变化率的最大值： 若将图2a中惠斯登电桥的四只巨磁电阻等效成一只巨磁电阻（见图2b），则有： （5） 图3 巨磁电阻测量示意图 图3为巨磁电阻测量示意图，其中为精密电阻，阻值为4.70KΩ。当白色波段开关拨至B点时，精密电阻与巨磁电阻串联，为巨磁电阻阻值与磁感应强度关系测量实验（其他实验时，拨至A点，不接入电路）。可调电源需调节在4V以内，因为测量两端电压的电压表量程为2V。当外磁场为零时，电压表显示（即分压），则由公式（5）得到： 推出： （6） 当磁场不为0时，由于随磁场增加而逐渐减小，导致分压逐渐增加，直至饱和，则： （7） 由公式（5）可以得到： （8） 巨磁电阻传感器应用广泛，可用来测量弱磁场、角度、转速、位移、电流等，与相比，具有，恶劣等优点。； 5．由巨磁电阻传感器输出电压推算的最大值。 实验三 测定巨磁电阻传感器输出电压与其工作电压的关系 1．将传感器输出表头下的放大倍数档调至×1档，测量电压表下的白色波段开关拨向A点； 2．打开主机，将线圈电流调零，传感器工作电压调为2V左右，传感器输出调零,将线圈电流调至0.6A左右，记下传感器输出电压，将传感器工作电压逐渐升高,每隔1V左右记一次传感器在