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InGaAsN在MBE上的外延生长技术及太阳能电池的制备
InGaAsN在MBE上的外延生长技术及太阳能电池的制备查阅了很多文献，大部分都是研究（退火温度、氮成分含量、生长温度等）N的浓度。相对MOCVD，MBE的氮浓度相对比较小（这将会影响相关氮化物的缺陷）[1]。 后快速退火温度（RTA）影响InGaAsN晶体的质量（长量子阱）[2]。氮成分的不同与生长温度的控制对InGaAsN的影响 [3]。氮成分：生长温度：[1] A comparison of MBE- and MOCVD-grown InGaAsN. A.J. Ptak, D.J. Friedman and S.W. Johnston(National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Blvd., Golden, CO 80401)[2] MBE Growth of Thick InGaAsN Layers with Absorption Edge at 1.95μm onInP Subst rates. K.Miura, Y.Nagai, Y.Iguchi, H.Okada(1), Y.Kawamura(2,3)[3] Optical characterization of InGaAsN layers grown on InP substrates. M. Yoshikawa a, K.Miura b, Y.Iguchi b, Y.Kawamura a, (a:Frontier ScienceInnovationCenter,OsakaPrefectureUniversity,1-2Gakuen-cho,Naka-ku,Sakai,Osaka599-8570,Japan b:TransmissionDevicesRDLaboratories,Sumitomo ElectricIndustries,Ltd.1-1-3,Shimaya,Konohana-ku,Osaka554-0024,Japan)
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