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ETCH ( W) k3 y. W% A0 S何谓蚀刻(Etch)?  P0 {0 P3 G2 X% B- x I$ P( ^答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。 ) z1 t5 j V9 z: u3 r% d0 ]0 n蚀刻种类: 1 @0 N( `1 \! a+ w, E, C8 P答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻  y- C: N+ h/ Y8 T, }+ I蚀刻对象依薄膜种类可分为: , I) M, R4 b# N8 f. G, G答：poly,oxide, metal - {! K0 m* c( y. \/ L半导体中一般金属导线材质为何? 6 G; d2 o* \$ O2 } F答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) ; m) m$ w7 a9 \何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?  J7 j0 @! a. J# x$ E2 f; J答：Oxide etch and nitride etch ! U6 g; _3 X4 R p6 V半导体中一般介电质材质为何? : y: Y. O; G# ^: j1 \8 Y答：氧化硅/氮化硅 q2 y0 d6 t c何谓湿式蚀刻 $ @# P6 ^- W {1 Q# m! m0 u( D Z答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 % u F1 U( Q) q4 u% {% m+ ?何谓电浆 Plasma? ) a% n4 |5 }* B5 j8 q答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. 9 _% u# D I- U4 P1 S何谓干式蚀刻? * N9 C; t- G% s! Q! \2 l+ W答：利用plasma将不要的薄膜去除 8 I! |# @# ^7 i$ Q7 Y何谓Under-etching(蚀刻不足)? * c6 H0 w- g/ h+ ?- Y# f ?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 8 Y. y+ V0 T) ^7 J3 Z何谓Over-etching(过蚀刻 ) ! |6 h4 p5 B; ]/ D G C答：蚀刻过多造成底层被破坏 K9 D0 ^* F ~* \ n/ B何谓Etch rate(蚀刻速率) 8 F) j( N! z1 J I9 A3 r4 h9 b答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 , H# _2 N z; A0 g, W o+ @何谓Seasoning(陈化处理) 9 q; h8 M! [# n4 ]2 [9 U9 `6 v答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆进行数次的蚀刻循环。 - M f$ H- d4 N2 X Q# o/ cAsher的主要用途: p* E d- x m7 T7 K u答：光阻去除 + m% c- L( f7 e yWet bench dryer 功用为何? 6 ^2 E5 _$ A* C! C1 m答：将晶圆表面的水份去除 7 T* }3 {4 V8 W6 i) W2 w7 B列举目前Wet bench dry方法: , S: R% w Z a _0 X7 C+ ]: U答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry d/ d( F6 x. j6 n; _, F C何谓 Spin Dryer 1 T1 @2 k/ P) f6 O* |答：利用离心力将晶圆表面的水份去除  ~, G# X4 J4 U0 i L/ p何谓 Maragoni Dryer # q: Q* E7 Z% E. N, e4 L答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除 g) D6 q5 w @1 i M) V2 c何谓 IPA Vapor Dryer 3 n2 W8 t8 b. [ C答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 8 q) z) V, F, k测Particle时,使用何种测量仪器? ! d+ t1 v ^3 g( [. Y F. O+ K6 m答：Tencor Surfscan 3 y, m3 H2 T# @5 O测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 3 i l1 K0 {6 \5 I7 { X v. e% j! Y0 W答：膜厚计,测量膜厚差值 ) } V* l* I- Z1 Q- e何谓 AEI # x \: b, ?9 e9 z答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查 ) f3 i; c7 W2 b1 h#