电力电子建模 DC-DC变换技术.ppt

第二讲 DC-DC变换技术 输出电流和二次侧电流峰值相等，因此变压器线径较大。 io和iL相等，因此滤波电感的电感量和线径均较大，导致体积较大。 半波整流电路的整流二极管承受的反向电压较大。 k13越大，Dmax越大，输出电压的调节范围越大！ k13=1，Dmax=0.5，US,max=2Uin k13越大，US,max越大，开关管越难选取！ 正激变换器实质是单端有隔离的Buck变换器！ (2)反激变换器（Flyback converter） 忽略漏感！ 存在的问题：需要隔离驱动；输出端电压为反极性！ 单端反激变换器 副边元器件数量少（只要1个D和C，没有L），减小了体积，多路输出时可大大降低成本。 多路输出的辅助电源基本都采用反激变换器拓扑。 原理分析 ①磁化电感电流连续 磁化电感电流连续时，Uo与负载电流无关。 原理分析 ②磁化电感电流断续 磁化电感电流断续时，Uo与负载电流有关。 反激变换器的外特性 当电感电流断续时，要维持Uo不变，变换器的占空比会随着负载电流大范围变化。这是所有变换器的共同规律。 单端反激变换器 特点1：反激变换器的变压器兼具储能电感的作用。 反激变换器的变压器的功能： ①隔离、变压； ②磁化电感相当于储能电感，即磁化电感在开关管开通时储能，开关管关断时将该部分储能发送给负载！ 反激变换器负载得到的能量即为磁化电感Lm的储能。 特点2：反激变换器的变压器必须要有气隙。 若Φm不变，则增加气隙以提高Rm，将可提高反激变换器的变压器储能。 可见，若N1、U1、 D 、fs不变，则主磁通Φm不变，与气隙大小无关。 传送能量 传送能量 相同Φm时，有气隙时的储能远大于无气隙的！ 无气隙 有气隙 要存储相同能量，无气隙的Φm必须远大于有气隙的！铁芯将过饱和，铁耗急剧增大，铁芯严重发烫。 单端反激变换器的B-H范围 认识误区 反激变换器的磁芯必须有气隙，否则，反激变换器的变压器将会饱和。 答：错！由公式可以看出，在U1、N1、 D 、fs不变时，反激变换器的主磁通也相同，即无论有没有气隙，磁芯饱和程度将相同。 ②相同储能下，无气隙的Φm要远大于有气隙的，会使得变压器严重饱和。 正确说法 反激变换器的磁芯必须有气隙，是因为： ①相同Φm时，有气隙时的储能远大于无气隙的！ 1、气隙的存在，使得漏感及其储能很大。 特点4：反激变换器的效率很低，一般在0.75左右。 2、电流断续模式下，电流的脉动很大，导致开关管和二极管的通态损耗、以及变压器绕组的交流铜耗很大。 特点3：反激变换器一般工作在电感电流断续模式！ 1、CCM时反激变换器的开环传递函数具有右半平面零点，必须大幅减小系统带宽才能使反馈环稳定。 2、相同输出功率下，反激变换器工作在CCM时所需的电感Lm更大，导致变压器的体积更大，且系统响应更慢。 单端隔离变换器的优缺点 1、只有1个开关管，成本较低、电路简单； 2、开关管关断时承受较大电压； 3、单向磁化，变压器铁芯没有得到充分利用； 4、只适合较低功率场合； 3、双端隔离型DC-DC变换器 (1) 推挽变换器（Push-Pull converter） 推挽变换器可以看成两个单管正激变换器的反向并联。 上下管都不需要隔离驱动！ 原边是？ 原理分析 1）假设功率器件均为理想元件。 2）N1=N2,N3=N4。 适合于低输入电压、中等功率场合。 N1=N2，且对称驱动。 Iin为最大占空比时电源的平均电流。Is为开关管的电流峰值。 双倍磁通效应 起动时输出电压为0，占空比最大，则2倍磁通最大，开机时初始磁通为0，使得变压器饱和。 解决措施：变压器的Bm=1/3Bs；或者软启动。 上下电路难免不对称（管压降不等、驱动信号占空比不相等），因此会在变压器原边的高频交流电压上叠加数值较小的直流电压分量，使得变压器单方向逐渐饱和，引起很大的磁化电流，导致器件损坏。 尽管直流电压分量小，但只要时间足够长，就会引起变压器磁饱和。 采用MOSFET，有助于抑制偏磁引起过流。 初级绕组有中心抽头的，因此制作复杂、耗铜量大； 两个初级绕组之间要高质量耦合，很难做到！ 通常采用电流型控制，以限制流过器件的电流。 (2) 半桥变换器（Half-bridge converter） 半桥变换器可以看成两个单管正激变换器的反向串联。 上管需要隔离驱动！ 原理分析 1）假设功率器件均为理想元件。 2）N2=N3。 适合于高输入电压、中等功率场合。 半桥变换器是否存在上下电路不对称引起的直流偏磁？ 两个电容连接点的电位会随着S1和S2的导通情况而浮动，从而能自动的平衡变压器两端的伏秒值。所以，半桥变换器不会出现直流偏磁引起的单方向逐渐饱和。 仿真参数： N1:N2=2:1；Uin=100V；Io=8A；D1=0.45；D2=0.4。 半桥变换器