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第 3 章　逻辑门电路 3.4　CMOS 集成逻辑门 一、CMOS 反相器 三、CMOS 数字集成电路应用要点 3.5 集成逻辑门电路的应用 一、CMOS 门电路比之 TTL 的主要特点 二、集成逻辑门电路的选用 三、集成逻辑门电路应用举例 小结 逻辑门电路 数字电子技术第六讲 CMOS 集成逻辑门 集成逻辑门的应用 小结 是由增强型 PMOS 管和增强型 NMOS 管组成的互补对称 MOS 门电路。比之 TTL，其突出优点为：微功耗、抗干扰能力强。 主要要求： 掌握 CMOS 反相器的电路、工作原理 和主要外特性。 了解 CMOS 数字集成电路的应用要点。 了解 CMOS 与非门、或非门、开路门、 三态门和传输门的电路和逻辑功能。 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B 增强型 NMOS 管 (驱动管) 增强型 PMOS 管(负载管) 构成互补对称结构 (一)电路基本结构 要求VDD UGS(th)N +｜UGS(th)P｜且 UGS(th)N =｜UGS(th)P｜ UGS(th)N 增强型 NMOS 管开启电压 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B NMOS 管的衬底接电路最低电位，PMOS管的衬底接最高电位，从而保证衬底与漏源间的 PN 结始终反偏。. uGSN + - 增强型 PMOS 管开启电压 uGSP + - UGS(th)P uGSN UGS(th)N 时，增强型 NMOS 管导通 uGSN UGS(th)N 时，增强型 NMOS 管截止 O iD uGS UGS(th)N 增强型 NMOS 管 转移特性 时, 增强型 PMOS 管导通 时, 增强型 PMOS 管截止 O iD uGS UGS(th)P 增强型 PMOS 管 转移特性 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B (一)电路基本结构 UIL = 0 V，UIH = VDD A uI Y uO VDD S G D D G S VP 衬底 B VN 衬底 B (二)工作原理 ROFFN RONP uO +VDD S D D S 导通电阻 RON 截止电阻 ROFF RONN ROFFP uO +VDD S D D S 可见该电路构成 CMOS 非门，又称 CMOS 反相器。 　　无论输入高低，VN、VP 中总有一管截止，使静态漏极电流 iD ? 0。因此 CMOS 反相器静态功耗极微小。 ◎ 输入为低电平，UIL = 0V 时， uGSN = 0V UGS(th)N ， UIL = 0V 截止 uGSN + - VN 截止， VP 导通， 导通 uGSP + - uO ? VDD 为高电平。 A uI Y uO VDD S G D D G S VP 衬底 B VN 衬底 B 截止 uGSP + - 导通 uGSN + - ◎ 输入为高电平 UIH = VDD 时， uGSN = VDD UGS(th)N , VN 导通， VP 截止， ◎ 输入为低电平 UIL = 0 V 时， uGSN = 0V UGS(th)N ， VN 截止， VP 导通， uO?VDD , 为高电平。 UIH = VDD uO ? 0 V ，为低电平。 二、其他功能的 CMOS 门电路 (一)CMOS 与非门和或非门 1. CMOS 与非门 A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 每个输入端对应一对 NMOS 管和PMOS 管。NMOS 管为驱动管，PMOS 管为负载管。输入端与它们的栅极相连。 与非门结构特点： 驱动管相串联， 负载管相并联。 A B VDD VPB VPA VNA VNB Y CMOS 与非门工作原理 1 1 导通 导通 截止 截止 0 驱动管均导通， 负载管均截止， 输出为低电平。 ◆　　当输入均为 高电平时： 低电平输入端相对应的驱动管截止，负载管导通， 输出为高电平。 ◆ 　当输入中有 低电平时： A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 0 截止 导通 1 因此 Y = AB 2. CMOS 或非门 A B VDD VPB VPA VNA