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硅基自旋注入研究进展(1.134Mb).PDF
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DOI :10 ． 13290 /j ． cnki． bdtjs． 20 15 ． 09 ． 00 1
硅基自旋注入研究进展
1，2 ，3 1 2 1 2 3 1
， ， ， ， ， ，
卢启海 黄蓉 郑礴 李俊 韩根亮 闫鹏勋 李成
(1. ， 361005 ;
厦门大学物理与机电工程学院半导体光电子学研究中心 福建厦门
2. ， 730000 ;
甘肃省科学院传感技术研究所甘肃省传感器与传感技术重点实验室 兰州
3. ， 730000)
兰州大学物理科学与技术学院 兰州
: 、 。
摘要 自旋注入 自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础 在硅基材料上采
， ，
用电的方式进行自旋注入 有利于自旋器件与微电子芯片的集成化 是当前该领域的研究热点课
题之一。 ， ，
简要概述了硅基自旋注入的研究进展 首先介绍了半导体自旋注入的原理和方法 着重
(MTJ) ，
评述了以磁隧道结 结构为核心的硅基自旋注入的研究进程 然后详细论述了硅基自旋注
、 ， ，
入的测试原理 器件结构和实验方法 最后给出了硅基自旋注入的主要研究目标和发展方向 并
展望了硅基自旋电子器件的前景。
: ; ; ;Hanle ;
关键词 自旋电子器件 硅基自旋注入 自旋探测 曲线 磁隧道结
中图分类号:TN301;TN389 文献标识码:A 文章编号:1003 －353X (2015)09 －0641 －06
Research Progress of Silicon-Based Spin Injection
1，2 ，3 1 2 1 2
Lu Qihai ，Huang Rong ，Zheng Bo ，Li Jun ，Han Genliang ，
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