40偏置白光对太阳电池外量子效率测试的影响.ppt

偏置白光强度对太阳电池外量子效率测试影响的研究 马逊1，2，刘祖明2，廖华2，李景天2 (1.中国农业大学水利与土木工程学院 2.云南师范大学太阳能研究所） 一、利用开路电压测量太阳电池外量子效率（EQE) 1.常规测量太阳电池外量子效率方法EQE(λ)SC ： 通常在测量太阳电池量子效率时，采用入射单色光强度在10-4~10-6suns之间。利用太阳电池I-V特性关系可以得到： 以商业化晶体硅太阳电池为例，其尺寸AT有：100×100mm2，103×103mm2，125×125mm2等，该尺寸远大于量子效率测量系统中单色光光斑大小AΦ 。Jsc与光照面积与总面积的比值AΦ / AT有关，Voc与光照面积与总面积的比值AΦ / AT无关，只与光照面积AΦ有关。 利用测量开路电压获得EQE，可以减小误差。 2.利用开路电压测量太阳电池的EQE(λ)OC 令： 那么： 对于特定样品来说，可利用测量样品的Voc得到EQE(λ)OC， 再将EQE(λ)OC转换为EQE(λ)SC ，从而计算其他与 EQE(λ)SC有关的参数，如表面复合速度、扩散长度等。 二、偏置光源强度对测试结果的影响 波长为λ的单色光入射，太阳电池开路电压VOC与基区的未被陷阱中心俘获的光生电子△n满足： 相同条件下加入偏置白光，陷阱被偏置光源产生的光生载流子填满，此时基区光生电子△n增大，测量得到的Voc增大，EQE(λ)OC也增大。 当偏置光源所产生的光生载流子全部将基区陷阱填满，此时基区光生电子△n为最大值，即EQE(λ)OC达到最大值； 如果偏置光源激发产生的光生载流子将陷阱填满后，其强度继续增加，此时偏置光源激发产生的光生载流子除填充陷阱能级以外，还剩下一部分积累在p-n结势垒边界处，使得势垒高度降低。 n+区（发射区）注入到p区（基区）的电子浓度将随着势垒高度的降低而增加，p区注入n+区的空穴可以忽略不计。 n+区注入到p区的电子浓度为△n(xp)，为了保持局部电中性，p区势垒边界处多子浓度增加△p(xp)。根据电中性条件可知：△n(xp)= △p(xp)。 此时p区势垒边界载流子浓度将高于体内，载流子向着体内扩散。但是△p(xp)扩散离开原位置将导致局部电中性条件的破坏，于是产生一个由体内指向势垒边界的电场E： 由于这个电场的存在使得空穴电流密度JP=0，并使电子加速扩散，在这种情况下p区电子的扩散电流密度可以表示为： 此时电子的扩散系数将由Dn增大为Dneff，根据n+p型太阳电池开路电压Voc表达式： 可以看出，偏置白光强度增加，使得其激发产生的光生载流子除填充完陷阱中心以后，还积累在势垒区边界处，导致n+区注入到p区的电子浓度增加，电子扩散系数增大，即饱和电流密度J0增加，因此测量得到的开路电压Voc和EQE(λ)OC下降。 EQE(λ)OC随偏置光源强度变化曲线 当偏置光源强度较弱时，产生的光生载流子不足以填满陷阱，待测太阳电池的EQE将随着偏置光源强度的增加而增大； 当偏置光源强度增加约为10-7W/cm2时，激发产生在光生载流子刚好填满陷阱，此时测量得到的EQE达到最大值； 随着偏置光源强度增加，由偏置光源产生的光生载流子使得势垒高度降低，p区电子扩散系数Dneff增大，p-n结饱和电流密度J0增加，开路电压随着偏置光源强度的增加而下降，EQE值也减小。 三、结论 当入射到待测太阳电池表面上的单色光光斑的面积远小于待测电池的尺寸时，利用测量开路电压获得EQE的方法可以减小测量误差； 在利用开路电压法测量太阳电池EQE时，如果未加入偏置光源，或者当偏置光源强度较弱时，产生的光生载流子不足以填满陷阱，测量值偏小； 当偏置光源强度较强时，产生的光生载流子积累造成p区电子扩散系数Dneff增大，p-n结饱和电流密度J0增加，EQE值比真实值偏小； 在测量太阳电池EQE时，需要加入偏置白光来消除陷阱的影响，加入偏置白光强度需要进行选择，从而才能减小测量误差。 谢 谢！ * *