HEMT高电子迁移率晶体管.docVIP

第五章 高电子迁移率晶体管 5.1 HEMT的基本结构和工作原理 5.2 HEMT基本特性 5.3 赝高电子迁移率晶体管 5.1 HEMT的基本结构和工作原理 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor ，HEMT），也称为2－DEG场效应晶体管；因用的是调制掺杂的材料，所以又称为调制掺杂场效应管。1978年R.Dingle首次在MBE（分子束外延）生长的调制掺杂GaAs/AlGaAs超晶格中观察到了相当高的电子迁移率。1980年日本富士通公司的三村研制出了HEMT，上世纪80年代HEMT成功的应用于微波低噪声放大，并在高速数字IC方面取得了明显得进展。 传讯速度的关键在于电子移动速率快慢，HEMT中的电子迁移率很高，因此器件的跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快。 表5-1 几种场效应晶体管中电子迁移率对比(单位：cm2/V.s) 器件 300K 77K HEMT 8000 54000 GaAs MESFET 4800 6200 Si MESFET 630 1500 作为低噪声应用的HEMT已经历了三代变化，低噪声性能一代比一代优异： 第一代：AlGaAs/GaAs HEMT，12GHz下，NF为0.3dB，增益为16.7dB。 第二代：AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT (PHEMT赝高电子迁移率晶体管)，40GHz下，NF为1.1dB；60GHz下，NF为1.6dB；94GHz下，NF为2.1dB。 第三代：InP基HEMT， 40GHz下，NF为0.55dB；60GHz下，NF为0.8dB；95GHz下，NF为1.3dB。 AlGaAs/GaAs HEMT的基本结构 制作工序：在半绝缘GaAs衬底上生长GaAs缓冲层（约0.5μm）→ 高纯GaAs层（约60nm） → n型AlGaAs层（约60nm） → n型GaAs层（厚约50nm） →台面腐蚀隔离有源区→制作Au/Ge合金的源、漏欧姆接触电极→干法选择腐蚀去除栅极位置n型GaAs层→淀积Ti/Pt/Au栅电极。 图5-1 GaAs HEMT基本结构 HEMT是通过栅极下面的肖特基势垒来控制GaAs/AlGaAs异质结中的2－DEG的浓度实现控制电流的。栅电压可以改变三角形势阱的深度和宽度，从而可以改变2－DEG的浓度，所以能控制HEMT的漏极电流。 由于2－DEG与处在AlGaAs层中的杂质中心在空间上是分离的，则不受电离杂质散射的影响，所以迁移率很高。 图5-2 GaAs HEMT中2-DEG AlGaAs隔离层制作 在低温工作时，由于晶格振动减弱，则n型AlGaAs层中的电离杂质中心对紧邻的2－DEG的Coulomb散射将成为提高迁移率的主要障碍。为完全隔离杂质中心与2－DEG，往往在n型AlGaAs层与GaAs层之间设置一厚度约10nm的未掺AlGaAs隔离层，见图5-3（a）。当隔离层厚度大于7nm时，杂质中心的Coulomb散射即不再是限制电子迁移率的主要因素，见图5-3（b），而这时其他散射如界面散射影响将成为重要因素。隔离层厚度太大又会导致2-DEG面密度下降和源漏串联电阻增加等，所以隔离层厚度一般取7－10nm。 图5-3 （a）HEMT中电离杂质隔离层结构图 （b）隔离层厚度与电子迁移率关系 AlGaAs层厚度的选择 从减小串联电阻来讲，AlGaAs越薄串联电阻越小；从器件工作来看，这层应当完全耗尽，否则在该层出现寄生沟道会使器件特性严重退化。从器件工作模式方面考虑，耗尽型HEMT中这一层的厚度需要大一些，相反，对增强型HEMT应薄些。对耗尽型HEMT，AlGaAs层的理想厚度应当是使栅肖特基势垒的边界与提供2－DEG而形成的势垒区的边界正好相重叠，通常取35－60nm AlGaAs中含Al量 x 的选择 提高 x 将使该层材料的禁带宽度增大，导致异质结的导带突变量△EC增大，从而引起2－DEG的浓度增加，可以减小源/栅寄生电阻、提高高频性能。但是，当Al组分x较大时，该晶体的表面质量将下降（缺陷增加），这会给工艺带来很多困难，一般取x＝0.3。 n-AlGaAs层掺杂浓度 从增大2－DEG浓度和提高器件的跨导来讲，应当越高越好；但如果掺杂浓度高于 2×1018cm-3，在其上要获得非隧道肖特基势垒将很困难，限制了最高的掺杂浓度。 HEMT材料的改进 （1）缓变调制A1GaAs层。为了消除n-GaAs／n-A1GaAs层界面处的导带不连续性，降低界面电阻，在n