MicrowindIC版图设计.docVIP

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MicrowindIC版图设计

Micro wind IC版图设计软件 Microwind是CMOS集成电路物理层版图(Layout)设计和性能仿真软件,它包含数字和模拟元件图库、版图编辑器、参数提取分析器及版图仿真器。使用这个软件可以十分方便地进行IC版图设计教学,对于不具备大型IC设计软件的学生是十分有用的。 Microwind具有丰富的教学信息,例如,显示PMOS和NMOS管的特性曲线、器件尺寸、工艺参数;电路中连接线的寄生参数;设计者可以方便地调节所制定的模型参数,在屏幕上直接观察模型对元件特性的影响,并交互显示辅助指导内容。 一、进入Microwind 与Windows下的其他程序一样,软件安装以后,创建Microwind目录,然后双击“Microwind”图标就可以运行软件。如图所示,主窗口由版图显示窗口、快捷图标菜单、分层调色板等几部分组成。 版图显示窗口中的网格以λ为单位,它通常固定为光刻工艺技术中最小尺寸(沟道长)的一半。例如在0.8 μm工艺中, λ = 0.4μm。 1、设计CMOS反相器 以CMOS反相器为例,通过绘制版图学习各种命令的使用。CMOS反相器包括一个NMOS及一个PMOS晶体管,如图所示。 图标为绘制矩形图标,图标显示调色板。首先在调色板中选多晶硅层(红色),然后按以下步骤绘制版图: 绘制硅栅矩形,先用鼠标点住选定的左上角,然后拖动至右下角。 释放鼠标器,即得到一定尺寸的硅栅矩形图,应使得矩形宽度最小为2λ,如左图所示。 按右图所示的比例继续绘制硅栅层。 选择调色板中N+扩散层(绿色),按图(下)绘制NMOS部分。 选择调色板中P+扩散层(绿色,斜线),按图(上)绘制PMOS部分。 选择调色板中N-阱层,在上图所示的P扩散层周围添置N阱,如下图所示。 2、分层结构仿真 点击图标,利用鼠标画一条待观察剖面的截线,屏幕上会显示相应的分层结构图。 3、接触窗孔及金属连接线 版图中各层之间是通过SiO2薄层相互绝缘的,它们通过接触孔(Via)进行连接。Via中灌注了金属和扩散层材料,其尺寸由设计规程确定。 Microwind提供各种预定义Via图(调色板窗口上方),如图所示。 例如选择N+/金属接触,出现随光标移动的正方轮廓,将它固定在N+区。同样地,选择P+/金属接触将它固定在P+区。在调色板选择金属层1(蓝色),即可引出NMOS和PMOS的电极,如图所示。 注意:图中右上角所示连接VDD。的接触点,使N区与高电平等电位。 进入仿真器前,最后的任务是定义VDD、Vss及输入和输出端。 4、性能模拟 在调色板上有一组仿真器图标,如图所示。 仍以上述反相器为例,首先将电源上部PMOS的一个P扩散层接VDD,下部 NMOS的一个N扩散区接VSS,然后定义输入信号端及输出端。操作步骤如下: 如上图所示,从左至右依次是电源VDD、地Ground、时钟Clock、加入脉冲Pulse、可视节点Node Visible。点击图时钟,再点击反相器公共栅区,则出现时钟设置对话框,按要求设置脉冲宽度、周期、上升沿、下降沿等参数,以便了解预期的器件特性,如下图所示。 选择上图最右的图标,定义观察点。应注意,仅当附属的字体为斜体时,方表示该功能被激活。 当定义版图输入和输出点时,所附带的字符是可更改的,常用的方法是在下图所示窗口中修改“Enter the text name”框的内容。 注意:进行仿真之前,应先存储版图。进入仿真器后,可观察已定义点的电压波形、电流波形及电压转移特性。 5、版图是否符合设计规程 点击图标,设计规程校验器(DRC:Design Rule Checker)扫描设计图,发现错误即用高亮条显示错误性质。只有符合设计规程的版图才能进一步转为制造文件。 6、参数分析 选择Analysis/Parametric Analysis,以反相器为例,点击输出点,进人参数分析界面,如图所示。 通过左下选择框,选择分析功耗、传输延时、显示频率。点击Start Analysis按钮,可给出相应的分析结果,如图所示。 7、保存 单击图标,保存版图文件,文件自动加上扩展名.msk。 8、连线路径生成 在版图设计中,金属连接线自动生成功能将大大节省设计者的时间。Microwind具有连接线自动生成及寄生参数分析功能。 点击下图中对应图标,进入图(a)所示界面。选择所要求的条目,然后回到主窗口,点击适当的位置,即得到连接线,如图(b)所示。 二、Microwind一些重要功能 Microwind具有Windows环境中一般的图形编辑功能,例如:剪切、拷贝、粘贴、放大/缩小、旋转等。重要的是它增加了一些专门用途的条目分别用于编辑器、模拟器和分析器中。 (1)转为Cif文件格式(Cif Out) Microwind将MSK版图文件转为Cif文件格式

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