半导体二极管知识课件电子技术教学ppt半导体二极管知识.pptVIP

江西航空职业技术学院观摩课 电子技术第十四章 半导体二极管 电信系 贺国灿 班级： 101151 14.1 半导体的基础知识 上期回顾 半导体定义、材料 半导体导电性 本征半导体 杂质半导体：P型、N型 复习小题 半导体定义：导电能力介于导体和绝缘体之间 14.1 半导体的导电特性 热敏性 光敏性 掺杂性 半导体材料：硅Si 锗Ge 它们为什么可以成为半导体呢？嚎 14.1 半导体的基础知识 半导体的导电特性： Ge Si PS：半导体硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 14.1 半导体的基础知识 14.1.1 本征半导体 定义：化学成分完全纯净的半导体制成单晶体结构。 共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 硅和锗的共价键结构 14.1 半导体的基础知识 本征半导体的导电机理： 温度为0度，无自由电子，不导电 常温时，少数自由电子　本征激发　　 +4 +4 +4 +4 本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴，二者总是成对出现 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强 14.1 半导体的基础知识 14.1.2 杂质半导体 本征半导体特点？ 电子浓度=空穴浓度； 载流子少，导电性差，温度稳定性差！ N型半导体 P型半导体 在本征半导体中掺入微量元素－－杂质半导体 14.1 半导体的基础知识 N型半导体 掺 杂：掺入少量五价杂质元素（如：磷） +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 特 点： 多数载流子：自由电子（主要由杂质原子提供） 少数载流子：空穴（由本征激发形成） 14.1 半导体的基础知识 P型半导体 掺 杂：掺入少量三价杂质元素（如：硼） 特 点： 多数载流子：空穴（主要由杂质原子提供） 少数载流子：自由电子（ 由本征激发形成） +4 +4 +3 +4 硼原子 多余 空穴 14.1 半导体的基础知识 杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 复习小结 1、半导体的导电能力与　　、　 和 有关。 2、本征半导体的导电能力主要由　　决定；杂质半导体的导电能力主要由　　　　　决定。 3、P型半导体中　　　　是多子，　　　　是少子。N型半导体中　　　　是多子，　　　是少子。 温度 掺杂浓度 空穴 自由电子 自由电子 空穴 温度 光强 杂质浓度 半导体在电路中如何应用呢？ 14.1 半导体的基础知识 14.3 半导体二极管 重点掌握基本概念及器件的外特性 14.2 PN结的特点 主要内容 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 内电场E 空间电荷区， 也叫耗尽层。 14.2 PN结 PN结的结构 14.2 PN结的特点 PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 I PN 结加正向电压时，正向电流较大， PN结导通。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – R I 14.2 PN结的特点 (2)PN结加反向电压（反向偏置） 外电场 P接负、N接正 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － – + 14.2 PN结的特点 14.2 PN结的特点 PN 结变宽 外电场 P接负、N接正 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － PN结特点：正向导通，反向截止 (2)PN结加反向电压（反向偏置） 结构： 类型： 符号： 14.3 半导体二极管 PN结 + 引线 + 管壳= 二极管 点接触型、面接触型和平面型