太阳电池组件基础知识.docVIP

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太阳电池组件基础知识

太阳能电池组件基础知识 1 太阳电池背景 由于我国石油、天然气、煤炭等能源的过量开采,已面临严重的能源危机:石油储量仅可维持到2020年,天然气仅能延续到2040年,煤炭至多还能用200-300年,未来能源的短缺将成为困扰中国经济发展的主要问题。近年来,世界上太阳能电池总产量以每年超过30%的速度增长,2002年世界光伏系统总装机容量达2200兆瓦,年发电量约为30亿千瓦时,而中国2002年光伏系统累计装机容量仅40兆瓦。电池行业是21世纪的朝阳行业,发展前景十分广阔。光伏发电将在中国未来的电力供应中扮演重要的角色预计到2010年中国的光伏发电累计装机容量将达到600MWp,2020年累计装机将达到30GWp,2050年将达到100GWp。根据电力科学院的预测,到2050年中国可再生能源发电将占到全国总电力装机的25%,其中光伏发电占到5%。太阳能发电具有许多优点,如安全可靠,无噪音,无污染;能量随处可得,无需消耗燃料;无机械转动部件,维护简便,使用寿命长;建设周期短,规模大小随意;可以无人值守,也无需架设输电线路,还可方便与建筑物相结合等;这些都是常规发电和其他发电方式所不及的。电池行业太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置[1]。太阳能电池的能量转换大都应用P-N结的光伏效应(Photovoltaic Effect)。其原理如下: ①多数载流子的扩散形成内建电场 。一块太阳能电池片相当于一个大面积平面PN结二极管,P型硅中多数载流子是空穴,N型硅正好相反,多数载流子是电子。P型硅与N型硅相接触后,多数载流子的扩散形成内建电场,电场方向由N指向P。 ②少数载流子的漂移形成光电压。太阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对。③电池片外电路连接导通,就形成光电流。 具体而言,太阳能电池片可以理想的看作比较大的二极管,首先对P-N结二极管做一简单说明。如图1所示,为一理想的P-N结二极管的电流-电压(I-V)特性图,其对应的方程式如公式1: (1) Ipn,Vpn :P-N结二极管的电流及电压 k:波尔兹曼常数(Boltzmann Constant:1.38×10-23J/K) q:电子电荷量(1.602×10-19库仑) T:绝对温度(凯氏温度K=摄氏温度℃+273度) Is:等效二极管的逆向饱和电流 VT :热电压(Thermal Voltage:25.68mV) 太阳能电池将太阳光能转换为电能是依赖自然光中的的量子-光子(Photons),而每个光子所携带的能量(公式2)为Eph:        (2) 其中 h:普郎克常数(Planck Constant:4.14×10-15eV·S) c:光速(3×108m/s) λ:光子波长 但并非所有光子都能顺利地通过太阳能电池将光能转换为电能,因为在不同的光谱中光子所携带的能量不一样: ① 当光子所携带的能量大于禁带(Band Gap)能量时,电子由价电带(Valence Band)跃迁至导电带(Conduction Band)而产生所谓的“电流”,所以当光子所携带的能量若大于禁带能量时,如图2所示,便可以通过光电子转换成电能。 ② 若光子所携带得能量小于禁带能量时,就对太阳能电池而言并没有什么作用,不会产生任何的电流。 在太阳光照射到太阳能电池产生电子-空穴对(Electro-Hole Pair)的同时,也会有部份的能量以热能形式散逸掉而不能被有效的利用。 当入射太阳光的能量大于硅半导体的禁带能量时,太阳光子照射入半导体内,把电子从价电带激发到导电带,从而在半导体内部产生了许多“电子-空穴”对,在内建电场的作用下,电子向N型区移动,空穴向P型区移动,这样,N区有很多电子,P区有很多空穴,在P-N结附近就形成了与内建电场方向相反的光生电场,它的一部分抵消了内建电场,其余部分则使P区带正电,N区带负电,于是在N区与P区之间产生了光生伏打电动势,这就是所谓的“光生伏打效应”。 如果位太阳电池开路,即组成电池回路中,负载电阻为无穷大,则被P-N结分开的电子和空穴,就会全部积累在P-N结附近,于是出现了最大光生电动势,它的数值即为开路电压,记作Voc 。如果把太阳电池短路,即回路负载电阻为零,则所有P-N结附近的电子与空穴,由结的一边,流经外电路到达结的另一边,产生了最大可能的电流,即短路电流记作ISC。太阳能电池相当于具有与受光面平行的极薄P-N结的大面积的等效二极管,因此可以假设太阳能电池为一个二极管与太阳光电流发生源所并联的等效电路,如图3所示。如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线,接通

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