半导体物理学课件第三章.ppt

半导体物理学 理学院物理科学与技术系 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.6 简并半导体 热平衡状态 3.1 状态密度 半导体的导带和价带可以近似认为是连续的。 计算状态密度的步骤： 1、k空间中量子态的分布 2、状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 1、费米分布函数 2、玻耳兹曼分布函数 3、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 实际半导体中，总是含有一定的杂质。当杂质在部分电离的情况下，有一些杂质能级被电子所占据。 3.5 一般情况下的载流子浓度 3.6 简并半导体 （2）中间电离区 （3）强电离区 当施主全部电离时， 饱和区，载流子浓度与温度无关。 硅的费米能级与温度及杂质浓度的关系 （4）过渡区（处于饱和区和完全本征激发之间） （5）高温本征激发区 n型硅中电子浓度与温度的关系 P型半导体 （1）对于杂质浓度一定的半导体，随温度的升高，载流子从以杂质电离为主过渡到以本征激发为主要来源的过程。相应的，费米能级则从位于杂质能级附近逐渐移近禁带中央。 （2）当温度一定时，费米能级的位置由杂质浓度所决定。这说明，在杂质半导体中，费米能级的位置不仅反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。 n型半导体中电子浓度 空穴浓度 电子、空 穴浓度 温度T 已知 费米能级 待定 电中性方程 无论是本征半导体还是掺杂半导体，以上关系都适用。 一般情况下的电中性条件： 导带电子 空穴 电离施主浓度 电离受主浓度 空间净电荷密度为： 半导体是电中性的，而且杂质均匀分布，那么空间电荷必须处处为0，热平衡状态有： * * 实验表明：半导体的导电性强烈地随温度而变化。 载流子浓度随温度的变化，需要了解 1）允许的量子态按能量的分布； 2）电子在允许的量子态中如何分布。 定义：在能带中能量E到E＋dE之间无限小的能量间隔中有dZ个量子态，那么状态密度g(E)为： 2、k空间中与能量E到E＋dE间所对应的k空间体积，找出能量E到E＋dE间的量子态数dZ； 3、利用公式求出状态密度。 1、k空间的量子态数，即k空间的状态密度； 半导体中电子的允许能量状态（能级）用波矢K标志，但电子的波矢k不是取任意数值，k的允许值为： 是整数 是半导体晶体的线度 是晶体体积 计算半导体导带底附近的状态密度。设能带极值在k＝0，等能面为球面。 对于实际半导体，如硅、锗，那么情况稍微复杂一些。 极值不在k＝0处，由于晶体的对称性，导带底也不仅是一个状态。设导带底的状态共有s个，则这s个状态的状态密度为： 导带底电子状态密度有效质量 对于价带顶 对硅、锗来说 半导体中电子数目非常多。如硅晶体中每立方厘米约有5×1022个硅原子，价电子有4×5×1022。 高能级 低能级 电子 从热平衡来看，电子按能量大小具有一定的统计分布，即不同能量的量子态上电子的统计分布几率是一定的。根据量子统计理论，服从Pauli不相容原理的电子遵循费米统计律。 能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率f（E）为： 费米分布函数 玻耳兹曼常数 绝对温度 费米能量或费米能级 费米能级即系统的化学势 当T＝0k时 当T0k时 玻耳兹曼分布 导带中的电子主要分布在导带底附近； 价带中大部分空穴分布在价带顶附近。 服从玻耳兹曼统计率的电子系统称为非简并系统； 服从费米统计率的电子系统称为简并系统。 电子浓度计算步骤： 1、将导带划分为无限多、无限小的能量间隔，则在能量E和E＋dE间有dZ个量子态； 2、电子占据每个量子态的几率为f（E）； 3、每个量子态上有一个电子，从导带底到导带顶积分，得到能带中的电子总数； 4、电子总数除以体积，得到导带中的电子浓度。 利用 导带的有效状态密度 电子占据能量为Ec的量子态的几率 可以理解为导带中所有的量子态都集中在导带底Ec，而它的状态密度为Nc，则导带中的电子浓度是Nc中所有电子占据的量子态数。 同理，价带中空穴浓度为： 4、载流子浓度乘积np 在一定温度下，np乘积是一定的。 本征半导体 本征激发时： 热平衡判断式 电子占据杂质能级的分布函数与费米分布函数不同。因为杂质能级只能被一个电子占据，而能带中能级可以被两个自旋方向相反的电子占据。 电子占据施主能级的几率是： 空穴占据受主能级的几率是： 1、杂质能级上的电子和空穴 （1）施主能级上的电子浓度 （2）受主能级上的空穴浓度 （3）电离施主浓度 （4）电离受主浓度 2、n型半导体的载流子浓度 n型半导体 电中性条件 分析