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纳米C和SiC掺杂对MgB带材超导性能的影响!-物理学报-中国
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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纳米 和 掺杂对 带材超导性能的影响!
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!）（中国科学院电工研究所应用超导实验室，北京 !.- ）
+ ）（日本东北大学金属材料研究所，仙台/.-0.122 ，日本）
, ）（中国科学院物理研究所，北京 !.- ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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采用 射线衍射仪，扫描电镜，超导量子干涉仪等仪器对纳米 和 掺杂的 带材进行了表征，并采用
4 5 675 89:
+
标准四引线法对样品的临界电流进行了测试 实验表明，和 掺杂在提高 带材高场下的临界电流密度方
$ 5 675 89:
+
面具有显著效果 在温度为 、磁场大于 条件下，和 掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提
$ ; + # / = 5 675
高一个数量级以上 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于 对 的替代所产生的晶格畸变、位错等
$ 5 :
缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用
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