FLASH的结构和种类以及主要供应商.doc

FLASH的结构和种类 什么是FLASH MEMORY？ ?? 闪存是一种长寿命的非易失性的存储器，特点是断电后数据不回丢失，数据删除不是以单个字节为单位而是以块为单位。 FLASH的内部架构 ? 闪存的存储单元为三端器件，与场效应管具有同样的名字：源极、漏极和栅极，源极与漏极之间的断通是收控于栅极，只不过的是FLASH是采用双栅极结构，增加了一个浮置栅极，如图： 浮置栅极中有无电荷决定了晶体管断通状态，如图： A、当有电荷时，源极和漏极导通，此时的数据为O B、当无电荷时，源极和漏极不导通，此时的数据为1 可以这样理解：写入数据时，则将1变成O，删除数据时，则将0变为1。 FLASH的种类分NAND和NOR FLASH,其区别在： ?? 1、因为FLASH的存储单元类似CMOS，输入与输出的关系正好符合“与非”关系，所以叫NAND型FLASH，NOR型就是符合“或非”关系。 ?? 2、NAND型FLASH是将各存储单元串联，而NOR型则为并联结构。 ??NOR型FLASH的特点： ? 1、有独立的地址线和数据线，可以快速读取数据，在速度上较NAND快。 ??2、NOR型FLASH的储存单元为BIT（位）导致容量不大。另外一个特点就是程序可以在FLASH内运行。以存储程序代码为主，主要市场为手机。 ? NAND型FLASH的特点： ? 1、地址线和数据线是公用的I/O线，在读取速度上比NOR慢。 ??2、存储单元是页（PAGE）跟硬盘的扇区一样，每一个页的有效容量是512字节的倍数，所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际还得加上16字节的校验信息，因此在技术资料上看到1PAGE=（512+16）BYTE，大容量的FLASH，校验信息更大，如64字节等。 ?3、NAND型FLASH是以块（BLOCK）为单位进行擦除操作的，一般每个块有32个521字节的页，容量为16KB，而大容量的采用2KB的页，每个块的有64个页，容量为128KB，还有一些块是128页的呢，容量为256KB 如图： 4、NAND FLASH的I/O口为8条，每条数据线每次传输（512+16）BIT的信息，8条则为（512+16）*8，也相当于512字节。 5、NAND型FLASH每一个块可一擦写1百万次，而NOR只到它的1/10，使用的寿命长。 6、NAND型FLSH存在位交换的情况，在FLASH内最小单位就是比特或位，在某种情况下，位会反转或被报告反转，发生该情况后，就采用错误检测或错误纠正（EDC/ECC）算法，来确保FLASH内的数据完整安全。 ? FLSH的坏块管理： ?? 因生产工艺的问题，无法保证在大批生产中保证其性能的可靠性，因此会产生坏块，坏块的特点就是：当编程或擦除这个块时，不能将某些位拉高，就会出现操作错误，并发应到STATUS REGISTER的相应位。坏快又分固定坏块和使用中产生的坏块 固定坏块：就是在生产过程中产生的，厂家在出厂前将坏快的第一个PAGE的SPARE AREA（备用区域）的第6个BYTE标记为不等于0XFF值。 使用过程中的坏块：在做U盘量产中，就将坏块标记起来，使得无法向坏块写如数据。坏块是无法清除的。 ? FLASH常见俗语和主要供应商什么是SLC FLASH？ ?? SLC（SINGLE--LEVEL CELL）：单层单元，就是每个单元存储一位数据或者说1比特，其有两种状态0或1 什么是MLC FLASH？ ? MLC（MULTI LEVEL CELL）多层单元，就是每个单元存储2位数据，也就有四个状态（00、01、10、11）最先采用该技术的是英特尔公司。 什么是TLC FLASH？ ? TLC（TRIPLE LEVEL CELL）三层单元，就是每个单元存储3位数据，容量更大，价格也高，该技术是现代公司开发的。还有MIRROR BIT，每个单元存储4位数据。 SLC与MLC比较？ 1、SLC在读写速度和使用寿命上比MLC好 2、SLC在功耗低于MLC 3、MLC可做大容量，比SLC有价格，成本的优势。 ? 什么是单DIE和双DIE FLASH？ ?? 这是FLASH从内部晶元（DIE）来分类的。DIE就是IC未封装前的晶粒，是从硅晶片上用激光刀割下的，每一个DIE就是独立的功能尚未封装的芯片。 ? 什么说单通道和双通道？ ? 这是从主控读写FLASH的速度上分类：（关键是要看主控是否支持）。 1、单通道，就是FLASH使用了主控的8位数据线而不管贴了几片FLASH。 2、双通道，就是FLASH使用了主控的16位数据线，FLASH在2颗以上，可以做到2个FLASH同时读写，速度比单通道快。 ? 什么是SMALL BLOCK（小块）和LARGE BLOCKS（大块） SMALL BLOCKS：16KB/BLOCK