Ｂ〈’＋〉和Ｐ〈’＋〉注入Ｇｅ及钱离子注入光电三极管.pdfVIP

第十届全国电子束离子束光子束学术年会 B+和P+注入Ge及 全离子注入光电三极管 ‘ 杜树成1，季国辉1，姬成周’，徐嘉东2杨占坤2，李健明2 (1北京师范大学、低能核物理研究所，北京100875; 2中科院半导体所，北京 100083) 摘要:为了研制适合光纤通信用工作在波长为1.55pm的光电探浏器，选用(111)1nCMN型阮 单晶作为衬底，用(120k,V,2,5x1012cm-2+(260keV,5X1012cm-2)和100keV,5x1013 .-)B+注入，研究了AM的白光快速退火特性。在500C1-650U,15秒得到了最佳退火条件。 用(160keV,I.0x1010cni2),(160keV,5x1010cm2)B士和(160k,V,Ix1015crli2)p十注入.研究 了畴的白光快速退火特性。在600C1-700U,15秒得到了最佳退火条件。选用(120keV,25 x102em-2)+(260keV,5X1012cm-2)B+注入和160keV,5x1010cm-2P+注入，650r-,15秒 快速退火研制了全离子注入NPN锗光电三极管。p=40-180,Vce=5V时漏电为加- 70协。在1.55Km,0.71eW的光照下得到了24W ,tW的响应度。 关健词:Ge 中离子注入;白光快速退火;光电三极管 1 前 言 近来随着光纤通信的迅速发展，适合光纤通信波段(1.55fnn)用光电探测器的研制也异常 活跃。锗由于其长的截止波长(1.88pm),成本低廉和工艺成熟等优点在此领域有一定的应用 前景。本文研究了锗中离子注入。成功地研制了全离子注人光电三极管。这将可能为研制适 合光纤通信用光电探测器开辟新途径。 K.S.Jones曾对锗中离子注人翻做过详细的研究’〔〕。其基本结论为:常温下注人的硼是 10096电激活的。硼在锗中注人引起受主型缺陷。缺陷在2501,30分钟的炉温退火后消除。 对于锗中磷的离子注人K.Benourhazi等做过研究[[2i认为磷在锗中注入引起受主型缺陷。在 退火温度高于3500,30分钟的炉温退火后磷被激活。早在80年代，IreneM.Nadeau等就研 | 制出离子注人锗二极管3[1。在1.55km波长具有很好的响应度和内量子效率。 本文的具体工作有:1 锗中离子注人硼的白光快速退火;2 锗中离子注入磷的白光快速 退火;;3 全离子注人锗光电三极管。 此项 目得到国家自然科学墓金和北京市科学羞金的资助。 | 卜 223 | 湖南 ·长沙 a 实验及结果 (1) 硼离子注人锗。在n型(III)1flan单晶锗上离子注人硼。条件见表 1, 表 1 翻注人条件表 样品号 B_Not B_N.2 020kV,2.5x1012-2) 注人条件 (100kV,5x103cm2) +260kV,5x102Cmz) 然后经300一800-C,15秒的白光快速退火。用四探针方法侧量相应的方块电阻。再从结 深和浓度与电阻率关系计算求得激活剂量。结果如图1所示。 }-FmH