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CCD制作工艺摘要：CCD（电荷藕合器件）是一种在硅集成电路工艺线上制作的图像传感器。本文介绍了CCD的基本工作原理和制造的单项工艺，并详细介绍了其关键工艺：氧化、光刻、离子注入，还对各工艺所遇到的问题、相应的解决方法及发展状况进行了阐述。关键词：CCD；氧化；光刻；离子注入中图分类号： TP212.14 文献标识码：A 一、引言固体图像传感器属于光电子成像器件，以器件类别来划分，固体图像传感器主要分为CCD、CMOS以及CIS三种，本文主要对CCD进行介绍。CCD即电荷藕合器件，是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件，美国贝尔电话实验室的W·S·Boyle和G·E·Smith在探索磁泡器件的电模拟过程中，产生了电荷耦合器件的原理设想，并在实验中得到验证[1]。最初，CCD只是作为存储器件使用，但后来依靠已经成熟的MOS集成电路工艺，CCD技术得到了迅速的发展。现在，CCD已被广泛应用于电视摄像、图像采集、目标跟踪以及工业测量等许多领域。二、CCD的基本工作原理CCD器件基本工作原理与金属－氧化物－硅（MOS）电容的物理机理相关，CCD的基本组成单元是MOS电容器，其工作过程主要是信号电荷的产生、存储、转移和检测[2]。CCD是以电荷包的形式对信号进行存储、转移的器件，它突出的特点是以电荷为信号，而不同于其它以电流或电压为信号的器件。CCD工作时，由时钟脉冲电压来产生和控制半导体势阱的变化，进而实现电荷的存储和转移。CCD电荷势阱运动基本方程式为：Us=UG＋(s0qNA/COX2)－UFB－(Qs/QOX)－{(s0qNA/COX2)2＋2(s0qNA/COX2)[UG－UFB－(Qs/QOX)]}1/2 （1）式中：Us—表面势；COX—单位面积氧化物电容，它是由氧化物的厚度及其介电常数决定的；??? UFB—控制栅压的修正电压；Qs—信号电荷；??? UG—加在栅上的电压；QOX—氧化物中的电荷；0—氧化层的的介电常数；s—硅的介电常数。在CCD中，电荷产生的方法很多，归纳起来可分为光注入和电注入两类[3]。光注入就是当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的半导体内产生电子空穴对，栅极上所加电压把多数载流子排走，而少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷；电注入就是通过电产生信号电荷。作为图像传感器，CCD接受的是光信号，即电荷产生方式是光信号注入法[4]。光信号照射在CCD光敏区，当光子能量大于禁带宽度时，光子使半导体中产生一对电子——空穴对，产生的电子将收集在MOS电极下的势阱中，然后在驱动脉冲下，将光产生的电荷包转移和输出，形成一系列幅值不等的时序脉冲序列，从而产生图像信号。三、制造CCD的关键工艺制作一个性能优越的CCD，不但要有精确的设计，而且还必须具备良好的设施和工艺制作条件，同时认为因素的影响也非常重要。CCD是在硅集成电路上制作而成的，其工艺基本组成包括清洗、氧化、扩散、光刻、刻蚀、离子注入、LPCVD、等离子生长和中测单项工艺，CCD的制造就是将这些单项工艺以不同数目和次序加以组合而成。本文着重介绍CCD的制造关键工艺：氧化、光刻、离子注入。1、氧化氧化是CCD制造中的关键工艺之一，氧化生成的SiO2膜在CCD中有着重要的作用，主要表现为：??? （1）作为CCD的保护和钝化膜。在Si表面覆盖着一层SiO2薄膜，一方面热生长SiO2可以束缚硅的悬挂键，从而降低CCD的表面态密度，起到表面钝化作用，同时它能防止CCD电性能退化并减少由于潮湿、离子或其它外部污染物引起的漏电流 [5]。另一方面，SiO2是坚硬和无孔（致密）的材料，可以保护Si表面不被镊子划伤以及避免后期工序中可能带来的工艺损伤。同时，在Si表面产生的SiO2层可以将Si表面的电活性污染物（可动离子沾污）束缚在其中。??? （2）作为CCD中栅氧的电介质。CCD中最主要的是MOS管，因为SiO2具有高电介质强度（107V/cm）和高的电阻率（约1017Ωcm），所以可以作为CCD中MOS的栅氧化层。CCD中栅氧层影响电流的流动和电荷转移效率。因此，要求栅氧化层致密、无杂质，并有极好的膜厚均匀性，任何会导致栅氧结构退化的沾污都必须尽量避免。??? （3）可作为多晶硅薄膜之间的隔离层，这从图1中可看出。隔离多晶硅的SiO2层的质量将直接影响CCD的电路的性能，SiO2能防止上层多晶硅和下层多晶硅间短路，就像电线上的绝缘体可以防止短路一样[6]。同时，氧化物要求无针孔和空隙。由于氧化层的这些作用，因此有三个问题需要解决：??? ①氧化层制备方法很多，有干法氧化、湿法氧化以及水汽氧化，CCD用哪种方法制备？??? ②氧化层的厚度对CCD的阀值电压和平带电压有直接的影响，同时还影响CCD的成像效果，那氧化层的厚度应该是多少？???