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利用ald技术实现之氮化镓金氧半无闸场效应电晶体及其在血液中低
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金糖
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理 利 年
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行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告
原子層沉積薄膜低雜訊感測元件於血液中金屬,血糖,與脂蛋白之檢測
技術開發
子計畫三：利用 ALD技術實現之氮化鎵金氧半無閘場效應電晶體及其
在血液中低密度脂蛋白感測元件之開發(I)
計畫編號： 96-2221-E-182-054
報行期限：96 年 8月 1 日至97 年 7月 31 日
主持人：邱顯欽 副教授 長庚大學電子系
一、中文摘要 the phenomenon of surface potential changes in
本計畫主要是利用矽基板上之氮化鎵 different environment to effect the
磊晶片來製作氮化鎵金氧半場效應電晶體， concentration of 2DEG., gateless sensitive
以不同鋁成份之氮化鋁鎵磊晶層來探討不同 device show significant change in current as
強度的壓電效應造成敏感度的改善，藉由氧 exposure to liquid including Oxidized LDL.
化型低密度脂蛋白中的氫氧根影響氮化鎵金 According to the above-mentioned, we can
氧半場效應電晶體閘極感測區之表面位能， identify the concentration of Oxidized LDL by
引發通道電流能有顯著的改變，並藉此電流 the variation in current. Our goal is to decide
的改變來反映出血液中氧化蛋白質的濃度， the optimal AlGaN structure for high sensitivity.
討論出最佳的氮化鋁鎵結構，相較於傳統矽 We have studied that more Al composition in
晶片，矽基板上之氮化鎵金氧半場效應電晶 AlGaN caused the higher sensitivity. Because
體能夠同時具有低成本，高環境抵抗力，與 of stronger polarization leading to higher sheet
低漏電流之功能，能夠避免繁雜的化學檢驗 carrier concentration
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