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3.5.2 发射极偏置电路 简称射极偏置电路。在射极偏置电路中，晶体管的发射极与地之间串有一个电阻，并且基极的电压常常用两个电阻分压得到，如图所示： 通过分压取得的基极电压可以认为近似不变；发射极的电阻能够提供电流负反馈，这使得发射极偏置电路能保持晶体管的静态点稳定不变。 下面介绍射极偏置电路的基本特性 1 静态工作点的确定 可以认为，在射极偏置电路中静态点主要由晶体管之外的电阻和电压决定： 2. 电压增益 根据等效电路，有 * 3. 半导体三极管及放大电路基础 3.1 半导体双极晶体管 半导体双极晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），简称晶体管或三极管，是一种电流控制器件，能够以输入电流来控制输出电流。 3.1.1 双极晶体管的结构 晶体三极管的制造工艺有合金型和平面型，如下图所示。 3.1.2 双极晶体管的电流分配与放大 1. 晶体管内部载流子的传输过程 对于NPN型晶体管，工作时发射结正偏，集电结反偏，从发射区注入基区的电子除少数与基区的空穴复合后，多数被集电结的电场吸引，到达集电区形成集电极电流。 2. 电流分配关系 三极管中的电流符合以下的关系： 晶体管的发射极电流可以表示为： 由于晶体管的所具有的结构，其集电极电流与发射极电流以及基极电流近似成比例关系： 上式反映了发射极电流和基极电流对集电极电流的控制作用。? 、 ? 分别称为共基极电流放大系数、共发射极电流放大系数，二者满足 3. 共基极放大电路 共基极电路中发射极 e 是输入端，集电极 c 是输出端，输入电流和输出电流分别为发射极电流IE和集电极电流IC 。 发射极回路中的输入信号?vi可引起发射极电流的变化?iE，进而导致集电极电流的改变?iC = ? ?iE ，在集电极回路负载电阻RL上造成的输出电压变化为?vo = ? ?iE RL，因此只要负载电阻足够大，可以使电路产生足够大的输出电压。 4. 共发射极放大电路 共发射极放大电路中发射极 b 是输入端，集电极 c 是输出端，输入电流和输出电流分别为基极电流 IB 和集电极电流 IC 。 输入信号的变化?vi可引起发射极电流的变化?iB，控制集电极电流发生改变?iC = ? ?iE ，输出电压变化为?vo = ??iBRL，由于共发射极电流放大系数 ? 较大，共发射极电路的增益也比较大，因此这种电路应用较多。 3.1.2 晶体管的输入输出特性曲线 1. 共发射极电路的特性曲线 （1）输入特性 输入特性是指在特定的集电极电压vCE下输入电流（基极电流iB ）与输入电压（基极电压vBE ）之间的关系： 晶体管输入特性通常可以表现为一组随集电极电压vCE变化的iB - vBE曲线簇。 （2）输出特性 输出特性是指在特定基极电流iB的条件下，集电极电流 iC 随集电极电压vCE变化的情况： 晶体管输入特性通常可以表现为一组随基极电流iB变化的iC - vCE曲线簇。 2. 共基极电路输入输出特性 3.1.4 晶体三极管主要参数 1. 电流放大系数 共发射极直流电流放大系数 共发射极交流电流放大系数 共基极直流电流放大系数 共基极交流电流放大系数 可以认为 ，所以对直流和交流放大系数不加以区分；通常共发射极电流放大系数? 在20 ~ 100左右，共基极电流放大系数? 在0.9 ~ 0.99 左右，两者可以互相换算： 2. 极间反向电流 反向饱和电流ICBO 穿透电流ICBO 3. 极限参数 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压：V(BR)EBO ， V(BR)CBO ， V(BR)CEO 3.2 共发射极放大电路 共发射极电路常用于交流音频小信号放大。为了保证晶体管正常放大，需要为其提供一定的基极偏置电流，使晶体管处于合适的静态工作点；信号经耦合电容输入电路，经过晶体管放大后在集电极负载电阻上得到放大的电压信号，再经耦合电容输出。放大是通过用输入信号控制集电极电流完成的。 3.3 图解分析 3.3.1 静态分析 静态指的是无输入信号时电路中各点电压、电流都静止不变的状态，也称为直流工作状态。静态在晶体管特性曲线中用静态工作点表示，即Q点。与静态相反的是动态，是指输入了交变信号时电路中各点的电压电流不断 变化的状态。 1. 静态工作点估算 对于共发射极电路，有： 2. 图解确定静态动作点 电路中的非线性部分确定Q点所在的输出特性曲线，而线性部分确定直流负载线，交点就是静态工作点。 3.3.2 动态分析 当输入交变信号时，电路中各处电压电流也处于不断变化之中。首先根据输入特性曲线求出基极电流的变化，然后再判断输出特性曲线上工作点的移动，进而确定集电极电压的变化。 实际应用中放大电路输出端连接的器件