半导体物理与器件第八章2.pptVIP

§8.2 PN结的小信号模型以上讨论的是PN结二极管的直流特性，在实际应用中更关心的是PN结二极管的小信号等效电路模型。 扩散电阻：二极管的电流可表示为： 其倒数定义为二极管在静态工作点附近的微分电阻，即： 我们已经介绍过了PN结电容随着反向偏置电压的变化，当PN处于正偏状态时，同样也会表现出一种电容效应。如图所示，一个PN结正偏在直流电压Vdc上，同时又叠加了一个正弦交流电压，因此总的正向偏置电压可以表示为： 扩散电容： 以空穴由P型区注入N型区为例，在t0、t1、t2三个时刻，N型区一侧空间电荷区边界处少子空穴的浓度分别如下图所示。由图中可见，空间电荷区边界处少子空穴的浓度也在直流稳态的基础上叠加了一个随时间变化的交流分量。 如前所述，空穴从耗尽区边界处开始将不断地向N型区中扩散，并在N型区中与多子电子相复合，假设交流电压信号的周期远大于过剩载流子往N型区中扩散所需的时间，因此空穴浓度在N型区中随空间位置的分布可以近似为一种稳态分布，如下图所示。 上页图中阴影区的面积则代表由于交流信号的周期性变化而引起的充放电电荷。对于电子由N型区注入到P型区中之后，过剩少子电子在P型区中的分布也表现出完全类似的情形。这种空穴分布在N型区中的起伏（充放电）过程以及电子分布在P型区中的起伏（充放电）过程将导致电容效应，该电容称为PN结的扩散电容，它与第五章中讨论过的反偏PN结耗尽区电容的物理机理完全不同，另外，正偏PN结的扩散电容通常要远远大于PN结的势垒电容。 上式中Ip0和In0分别是二极管中空穴电流和电子电流分量，τp0和τn0分别是N型区中过剩少子空穴和P型区中过剩少子电子的寿命，上式还可进一步改写为： PN结二极管的小信号等效电路模型可以根据其正偏条件下的小信号导纳公式得到： 设PN结二极管两端外加电压为Vapp，真正降落在PN结耗尽区两侧的电压为Va，则有 一个实际PN结二极管在正偏状态下的I－V特性 §8.5 产生－复合电流在前面推导理想PN结I－V特性的过程中，我们完全忽略了载流子在PN结空间电荷区中可能发生的产生－复合现象。在实际PN结空间电荷区中，载流子的产生－复合现象由SRH复合理论给出，即： 上式中的负号意味着在反向偏置的PN结耗尽区中实际上存在着电子－空穴对的净产生。我们知道，过剩电子和过剩空穴的复合过程实际上是一个恢复到热平衡状态的过程，而反偏PN结耗尽区中电子和空穴的浓度基本为零，因此其中电子－空穴对的净产生实际上也是一个恢复到热平衡状态的过程。这个产生过程如下页图所示。当电子－空穴对产生出来之后，立即就会被耗尽区中的电场拉向两侧，形成PN结中的反偏产生电流，这个反偏产生电流将构成PN结反向饱和电流的一部分(理想反向饱和电流仅仅是扩散电流)。 反偏PN结耗尽区中电子－空穴对的净产生过程 上式中负号意味着实际反偏PN结耗尽区中存在着净的产生率，因此产生电流密度为： 上式中，理想的反向饱和电流密度与PN结反偏电压关系不大，而反偏产生电流密度则与耗尽区的宽度W有关，这是与反偏电压有关的，因此实际PN结总的反偏电流密度则是与反偏电压有关的。 在反偏PN结的耗尽区中，电子和空穴的浓度基本为零，而在正偏PN结中，电子和空穴要通过空间电荷区实现少子注入，因此在空间电荷区中会存在一定的过剩电子和过剩空穴，这些过剩电子和过剩空穴之间就会发生复合，形成耗尽区复合电流。按照电子和空穴的复合率公式： 将上式分子和分母同时除以CnCpNt，并利用过剩载流子寿命的定义，可得： 正偏条件下PN结的能带示意图 由此可见在正偏PN结空间电荷区中有： 如图所示为少子空穴在中性N型区中的分布 将上述两个关系式绘成曲线则如下图所示，图中同时还包含了PN结中总的正偏电流密度的变化关系 * 半导体物理与器件 在某个静态工作点Q附近，其微分电导可表示为： 如果二极管外加的正向偏置电压足够大，则电流方程中的(－1)项可以忽略，因此其微分电导为： 相应地其小信号的微分电阻为： 上述小信号微分电阻也称为二极管的扩散电阻。 可见偏置电压Va随时间而变化，因此注入的少子浓度也将随着时间而不断地发生变化。 小信号导纳: 利用双极输运方程，我们可以求得PN结二极管的小信号导纳为： 称为PN结二极管的扩散电导，IDQ为二极管的直流偏置电流。而Cd则称为PN结二极管的扩散电容，即： 在正偏电流比较大的条件下，PN结二极管的扩散电容往往起主要作用，而扩散电阻则通常比较小。 由上式得出的等效电路如下图所示: 在此基础上，我们还需加上耗尽层电容的影响，该电容是与扩散电容和扩散电阻相并联的。另外，我们还必须考虑PN结两侧中性N型区和中性P型区寄生串联电阻的影响。