可嵌入PSPICE软件的SiGe+HBT+扩散电容模型.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 可嵌入PSPICE软件的SiGe皿T 扩散电容模型· 朱永刚戴显英李立宣荣喜王青崔晓英王顺祥 (西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安， 710071) 摘要：载流子在发射结和集电结的运动引起的电荷存储效应，被称为扩散电容。在PSPICE 模拟软件中，模型还不是很精确，本文主要建立了可以嵌入PSPICE的SiGeHBT的扩散电容 模型，使其可以更精确的模拟仿真SiGeHBT器件和电路的性能。文中考虑了准饱和效应、 速度饱和效应以及厄利效应对载流子正反向输运产生的影响，基于大电流SiGeHBT等效电 路模型建立起来扩散电容模型，经过验证，器件的直流分析可以与文献报道符合的较好。 关键词：SiGe异质结双极晶体管存储电荷扩散电容PSPICE 1．引言 SiGe技术凭借与Si工艺的兼容性和大大超越Si器件的性能使它一直处在研究领域的 热点u叫3，但是相应的模拟仿真软件的匮乏，使电路和器件设计工作变得很艰难。随着射频、 通信的迅速发展和走进生活的各个领域，对器件和电路的要求越来越高，因此对模拟软件 模型的精确和完整的要求也越来越迫切。本文基于SiGeHBT大信号等效电路模型，建立 了SiGeHBT发射结和集电结扩散电容模型。并将该模型与其它参数模型嵌进了PSPICE中， 实现了PSPICE的资源共享和SiGeHBT器件及电路的模拟仿真，取得了预期的结果。 2．SiGe HBT大信号等效电路模型 SiGe HBT大信号等效电路模型如图l所示。该等效电路分为本征和非本征两部分，日’、 C’、E7是本征晶体管的节点。 丫C C D 钸一G e彤3 Ccs D。， ·一}一 C刀1 嬲巩2k 尺j1 B 《垆艇肛} 』， C刀 D脚卜kP 日}一 妇‘ 图1SiGe HBT大信号等效电路模型 图l中，仃为传输电流模型 (1) Icr=ICF一，cR (1)式中，Icr为正向工作时(％，c，=0)的基区复合电流，向发射区的注入电流在 模型中用二极管DEl来等效；ICR为反向工作时(％苣，=0)的基区复合电流，向集电区的 注入电流在模型中用二极管1)cl来等效。 在模型中用二极管眈2、Dc：来描述空间电荷区和表面复合电流的非理想特性。另外， 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 为了更好地和直流特性曲线符合本模型中添加电阻RsA丁E、尺鼬m。C舾、CDc是可动载 Cjc2、C”3用于描述分布式的 流子扩散电容；C腰、C圯l与％2、C3是势垒电容， 集电结电容；衬底电容Ccs。尺曰l、％2、尺c、尺E分别为基区固定电阻、基区可变电阻、 集电区、发射区串联电阻。受控源，删与c0、CⅣ用于描述准饱和效应与速度饱和