可嵌入PSPICE软件的SiGe+HBT等效电路模型.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 HBT iGe 可嵌入PSPICE软件的S 等效电路模型· 区健锋张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜俞智刚王喜媛 (西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安， 710071) 摘要：本文基于SiGeHBT的物理模型，建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型。该 等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等，模型分为本征和非本征两部分，物理意义 清晰，拓扑结构相对简单。本文将该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEQ(器件方程开发包) 中。在PSPICE软件资源的支持下，利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析， 模拟结果与理论分析结果相一致，并且与文献报道的结果符合较好。 HBT等效电路模型PSPICE 关键词：SiGe 1．引言 SiGe 近年来随着应变SiGe材料制备技术的发展， HBT(异质结双极晶体管)备受重 视。由于SiGeHBT频率特性、线性特性、噪声特性等性能较Si器件优越，特别是与传统的 si工艺技术兼容，使其成为新一代微电子器件的研究热点u’2。。 本文基于SiGeHBT的物理模型和物理概念，在分析研究SiGeHBT工作机理和载流子 输运的基础上，建立了一个考虑了SiGeHBT各种效应的大信号等效电路模型以及相应的 参数模型，该等效电路模型物理意义明晰。同时将SiGeHBT等效电路和参数模型成功地 嵌入进了PSPICE中，实现了PSPICE的资源共享和SiGeHBT器件及电路的模拟仿真，取 得了预期的结果。 2．SiGe I-IBT大信号等效电路模型 一般而言，建立器件模型的方法有两种，一种是建立在器件物理基础上的模型，另一 种是根据输入、输出外特性来构成的模型。前者必须了解器件的微观结构、载流子的分布 及输运，其模型参数与物理机制有密切的关系，因此参数的适应范围较大，但参数的测定 和计算通常比较麻烦。后者要了解电路的工作原理，但不必了解具体器件的内部机制，模 型参数可以通过直接测量而获得，缺点是模型参数适用的工作范围窄，并与测试条件有 关。本文中器件模型的建立采用的是第一种建模方式，即以器件的物理机制为基础出发构 造模型。 在文献[3—6]中，SiGeHBT的等效电路模型只是对SiBJT(同质结双极晶体管)的GP 等效电路模型做了简单的修正，没有考虑热效应，没有对分布式的集电结电容进行更精确 的描述；同时，该模型中的基区寄生电阻模型也有缺陷。文献[7]表明，把基区寄生电阻 分成非本征部分和本征部分对准确描述高速HBT性能是非常必要。 ·国家部委预研资助项目(No．41308060108)．模拟集成电路田家重点实验室基金资助项目 (No．51408010301DZ01)，西安电子科技大学青年科研工作站基金赉助(No．03011#)· 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 基于SiGeHBT的微观结构和载流子输运过程，本文建立了图1所示的SiGeHBT等效电 路模型。该等效电路分为本征和非本征两部分，其中B7、C7、E’是本征晶体管的节点。 SiGeHBT处在正常工作状态时，发射区电子注入基区，在基区中部分与空穴复 当npn 合，其余的将输运至集电结势垒区边界，并在势垒区强电场的作用下漂移到集电区，这一 过程在图1所示等效电路模型中用电流源J凹来表示嘲，且，口为 一 ／ 一 K = II 、●●一、一 一 ＼一卫