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* 第2章 习题 * (a) 硅中两最邻近原子的距离是多少？ (b) 求出硅中(100), (110), (111)三个平面上每平方厘米的原子数。 解： (a) 从P27的图2.11(a)可以看出，立方体中心的原子被位于四面体顶点的等距的四个最近邻原子所包围。 因此，在硅（a=5.43?）中最近邻原子之间的间距为： (b) 对于(100)平面，面积a2有两个原子(一个中心原子 + 4个顶角原子被4个面所共用)，P23, 图2.4(a) 因此，2/a2=2/(5.43×10-8)2=6.78×1014原子/cm2 * 类似地，对于(110)平面，P23, 图2.4(a)和图2.6，有： 对于(111)平面，P23, 图2.4(a)和图2.6，有： * 3. 求出简立方晶体、面心立方晶体和金刚石晶格中的最大晶体密度。 解： (a) 对于简立方晶体，一个单胞含有1个原子（每个顶角含有1/8个原子），则晶胞填充的最大分数为： 原子个数×每个原子的体积/晶胞的体积 设原子的半径为r，则r=a/2，每个原子的体积为4π(a/2)3/3=πa3/6 所以，填充分数为1×πa3/(6a3)=52% * (c) 对于金刚石晶格，一个单胞含有8个原子(其中8个顶角的每个原子为8个球所共有，立方体的6个面有6个原子，每个原子为2个面所共有，晶胞内部还有4个原子)。 如P27的图2.11(a)所示，点(1/2,0,0)与(1/4,1/4,1/4)之间的距离为 * 6. (a) 计算GaAs的密度（晶格常数为5.65?，且每摩As和Ga的原子质量分别为69.72及74.92）。 (b) 一GaAs样品掺杂Sn，假如Sn替代了晶格中Ga的位置，那么Sn是施主还是受主？为什么？此半导体是n型还是p型？ 解： (a) GaAs为闪锌矿晶格结构，一个GaAs晶胞含有4个Ga原子和4个As原子，因此，每立方厘米含有的Ga或As原子数为： 4/a3=4/(5.65×10-8)3=2.22×1022Ga或As原子/cm3 密度=(原子数×原子质量)/Avogadro常数 =2.22×1022(69.72+74.92)/6.02×1023=5.33g/cm3 (b) 如果GaAs样品掺杂Sn，且Sn替代了晶格中Ga的位置，则Sn是施主，因为Sn含有4个价电子，而Ga只含有3个价电子。最终的半导体是n型半导体。 * 解： 所以，Eg(100K)=1.163eV, Eg(600K)=1.032eV 所以，Eg(100K)=1.501eV, Eg(600K)=1.277eV * 10. 在室温下，硅在价带中的有效态密度为2.66×1019cm-3，而GaAs为7×1018cm-3. 求出空穴的有效质量，并与自由电子质量比较。 解： 在Si中空穴的有效质量为： 类似地，GaAs中空穴的有效质量为：mp=0.43m0 * 13. (a) 对速度为107cm/s的自由电子，其德布罗意波长多长？ (b) 在GaAs中，导带电子的有效质量为0.063m0.假如他们有相同的速度，求出对应的德布罗意波长。 解： (a) p = mv = 9.109 ×10-31×105 = 9.109×10-26 kg·m/s λ= h/p =6.626 ×10-34/ 9.109×10-26=72.7? (b) λn= m0λ /mn = 1×72.7/0.063= 1154? * 15. 一硅样品在T=300K时其受主杂质浓度为NA=1016cm-3. 试求出需要加入多少施主杂质原子，方可使其成为n型，且费米能级低于导带边缘0.20eV？ 解： =1.26×1016 cm-3 因此，ND=1.26×1016+NA=2.26×1016cm-3 * 17. 求出硅在300K时掺入下列杂质情形下电子空穴浓度及费米能级： 每立方厘米1×1015个硼原子； 每立方厘米3×1016个硼原子及2.9×1016个砷原子。 解： 假设300K时，所有的B原子完全电离。 则，pp=NA=1015cm-3 从价带顶算起的费米能级为： (b) B原子补偿了As原子，则 pp=NA-ND=3×1016-2.9×1016=1015cm-3 所以，np=ni2/NA=(9.65×109)2/1015=9.3×104cm-3 所以np和EF的值与(a)计算的相同。但是两种情况下的迁移率和电阻率是不同的。 * 19. 假设完全电离的情形下，计算室温下当硅中分别掺入每立方厘米1015,1017,1019个磷原子情形下的费米能级。由求出的费米能级，检验在各种掺杂浓度下完全电离的假设是否正确。假设电离的施主是 解： 假定完全电离，则对于施主掺杂浓度分别为1015,1017和1019cm-3