双极型晶体管及其在生活中的应用.docxVIP

双极型三极管及其在生活中的应用一、双极型三极管的介绍类型与结构双极型三极管（Bipolar Junction Transistor, BJT）称为半导体三极管、晶体半导体等，是一种重要的三端子电子器件。它是由贝尔实验室（Bell Laboratory）的一个研究团队在1947年发明的。虽然如今MOSFET已经成为应用最广泛的电子器件，但是BJT仍然在汽车电子仪器、无线系统频射电路等领域具有一定的优越性。双极型三极管（BJT）是一种电流控制器件。它由两个背靠背PN结构成，是具有电流放大作用的晶体三极管，。它有三个电极，每个电极伸出一个引脚，由电子和空穴同时参与导电。BJT常见的晶体管外形如右图所示。双极型三极管按材料可分为锗半导体三极管和硅半导体三极管，在这两种三极管中又可按结构可分为：NPN型管和PNP型管。由于电子的迁移率比空穴的高，NPN型BJT应用的空间相较于PNP型BJT更广泛。此外，双极型三极管按功率耗散能力大小可分为小功率管、中功率管、大功率管；按工作频率的高低可分为低频管、高频管、微波管；按制造工艺又可分为合金管、合金扩散管、台式管、外延平面管。在一个硅片或锗片上生成三个半导体区域：一个P区夹在两个N区中间的称为NPN型管；一个N区夹在两个P区之间的称为PNP型管。它们的电路符号和结构图如下图所示。三个杂质半导体区域分别为：基区、发射区、集电区。它们的特点是：基区很薄，空穴浓度较小；发射区与基区的接触面较小，高掺杂；集电区与基区的接触面较大。从三个区域中分别引出三个电极：基极（B）、发射极（E）、集电极（C）。三个杂志半导体区域之间两两形成了PN结。其中发射区和基区间形成发射结，集电区和基区间形成集电结。上图所示是NPN型管的结构模型图。工作原理BJT的工作模式有三：共射极放大、共基极放大、共集极放大。其中最常见的是共发射极工作模式。当BJT中两个PN结偏置条件不同时，BJT将呈现不同的工作状态【1】：（1）放大区：发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏。（2）截止区：发射结和集电结均为反向偏置。其实只要发射结反偏或零偏置,三极管就已处于截止状态.在数字电路中,这个条件还要弱一些,只要加在发射结上的电压小于导通电压,三极管就可以截止。（3）饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。（4）倒置态【2】：发射结加反向偏置电压,集电结加正向偏置电压。与BJT的放大状态相比,相当于把集电极与发射极相互交换。工作原理描述：当晶体管工作在有源放大区时，管内载流子运动如右图所示。由于发射结的外加正向电压，发射区的电子向基区扩散,形成发射极电流IE。部分电子继续向集电结方向扩散，另一部分电子与基区的空穴符合形成基区复合电流IBN。由于集电结的外加反向电压，从基区扩散来的电子很快漂移过集电结并被集电区收集，形成集电极电流IC。与此同时，基区自身的电子和集电区的空穴也在反偏电压作用下产生漂移运动，形成集电结反向饱和电流ICBO。电学特性电流增益集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义:?通常通过改善决定发射极注入效率（?）和基区传输因子（αT）的结构参数使电流参数得到优化。其中，发射极注入效率（?）定义为：（NB是基区的掺杂浓度，NE是发射区的掺杂浓度；DPE是电子在发射区中的扩散系数，DNB是少子在基区的扩散系数；WB和WE分别基区和发射区的宽度）想要改善发射极注入效率，必须减小NB和NE的比值，因此发射区的掺杂浓度必须远大于基区。【3】基区传输因子（αT）定义为：其中，是基区的少子扩散长度，DnB是少子在基区的扩散系数。BJT的共发射极电流增益定义为集电极电流和基极电流的比值：击穿电压在BJT器件中，击穿分为两种：雪崩击穿和穿通击穿。当基区集电区的反偏电压达到某数值，器件内的最高电场达到临界击穿电场时，电流急剧增加，发生雪崩击穿。当基区-集电区的反向偏置电压提高后，基区集电区的耗尽层边缘延伸至整个基区，基区电中性消失，整个基区都是高电场的耗尽区。此时，发射区的电子可以直接漂移到集电区，从而输出很大的集电极电流，发生穿通击穿。【4】器件的雪崩击穿电压BV定义为：其中，?是半导体材料的介电常数，N是漂移区的掺杂浓度。EC为半导体材料的临界击穿电场。二、双极型三极管在生活中的应用1、基于BJT的温度传感器1）简介基于BJT的CMOS温度传感器根据基极－发射极电压VBE的温度特性来测量溫度。由于BJT良好的温度特性，这种温度传感器可以达到很高的精度，达到了0.1°C，是目前精度最高的CMOS温度传感器。但是其普遍存在功耗过高、面积过大的问题，随着这些年的发展，这些问题已经逐步得到改善【5】。2）温度测量原理【6】双极型晶体管的基极－发射极电压VBE是一个与绝对温度成反比（CTAT）的电压，其斜率大约为-2mV/°C。在不同