全透明Ｘ射线移相光刻研究.pdfVIP

第十居全国电子束离子束光子束学术年会 全透明X射线移相光刻 谢常青，叶甜春，孙宝银，赵玲利，李兵.晋兴才，晋俊红，陈大鹏，韩敬东 (中国科学院微电子中心，北京10001助 摘要:对全透明X射线移相光刻的原理进行了论述，提出了两种全透明X射线移相光刻方式， 是后对它进行了初步的实验研究。 关健词;X射线光刘;同步辐射;移相 1 前 言 从技术复杂度、产量、成本等诸多因素看来，x射线光刻技术都较其它后光学光刻技术(如 电子束投影、极紫外、离子束投影等)具有较大的优势。近几年x射线光刻技术研究取得了较 大进展[[1,2]，在工业应用方面，IBM正在其生产线上进行批量生产试验，在研究方面。1998年 美国麻省理工学院把X射线光刻应用于纳米MOSFET和化合物半导体器件的制作，取得了 较大的进展，已经研制出25纳米栅长的MOSFE7，结果令人瞩目。 1:1式X射线掩模的制作中最困难的环节是深亚微米吸收体图形的制作，往往需要依赖 于高精度的电子束光刻机，由于电子束光刻机所制作出的图形高度往往不是太高，因此往往需 要进行加法或者减法的图形转移(3,4)制作起来比