低温烧结BiNbO4系微波介质陶瓷材料的研讨.pdfVIP

摘要 摘 要 BiNbO4是一类可低温烧结的中等介电常数的微波介质陶瓷材料，但该材料 的谐振频率温度系数较大，严重阻碍了其作为微波器件用介质材料的实用性。本 论文主要通过选取化学性质相近的元素离子对BiNbO;的A位Bi3+离子或B位 Nb5+离子进行取代，系统、深入探讨改性离子取代与材料晶相结构、显微织构之 间的关系以及对微波介电性能的影响，从本质上揭示改性离子的作用规律，在保 证材料具有低的烧结温度基础上，获得微波介电性能优异，特别是谐振频率温度 系数接近于零的陶瓷材料组成。 选取化合价相同，离子半径依次递减的La3+,(La3++Nd3+),Sm3十、Y3+离子 和Tay十、Sb5十离子分别对BiNbO4A位Bi3+离子、B位M5+离子进行取代，通过对 不同离子取代对BiNbO;陶瓷的烧结性、晶相结构、显微织构及微波介电性能的 影响的研究结果表明，A位Ln3+离子取代都降低了BiNb04正交一三斜相变的温度， 其中离子半径大于Blli 的La3+离子离子取代使烧结样品内正交一三斜相变发生的 程度远大于离子半径小于或等于Bi3+的其它三种离子的取代，通过调节La十离子 的取代量，可以改变烧结样品内正交相和三斜相的相对含量的变化来调节样品的 Tf值接近于零;对于其它三种人位取代离子，由于烧结样品内正交一三斜相变的 程度较低，取代离子的半径及极化率的大小对烧结样品:f值的影响作用更大， 随A位取代离子半径和极化率的减小，Bi}I.x)Ln.NbO4陶瓷的Tf值逐渐向负的方 向变化，当以离子半径及极化率都为最小的沪+作为取代离子时，在x值为0.05 至0.1之间仔细调节Y3+离子的取代量，也可以获得 ::值接近于零的 Bi()_x)YxNb04陶瓷组成;B位离子取代时Sb5+离子取代的烧结样品中有正交一三斜 相变发生，但其相变程度远比A位离子取代的样品要小，B位离子取代的BiNb04 陶瓷的谐振频率温度系数主要与其正交相晶胞体积随取代量的变化有关，随取代 量的增加，材料正交相晶胞体积减小，其Tf值向负的方向逐渐下降，仔细调整B 位Ta5+及Sb5+离子的取代量，均可以调节样品的Tf值接近于零。 为了研究在烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO;系材料造成的影响，论文中 还专门对A位非化学计量的Bicl+x)NbO。材料烧结性能、品相结构、显微织构及 微波介电性能作了详细研究，结果表明，A位B，少量缺量可以促进BiNb04陶瓷 品粒的生长，使其烧结温度降低，烧结样ni:的uuti相组成仍为正交a-BiNbO,相， 低温烧结BiNbO。系微波介质陶瓷材料的研究 微波介电性能有所改善;A位Bi过量对BiNb04陶瓷的烧结性没有明显影响，Bi 过量达0.03时，烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3Oi5第二相产生，样品的微波介电 性能急剧恶化。 另外，利用柠檬酸盐溶胶一凝胶法，首次在 600℃的低温下合成高温相 p-BiNbO4粉体(p-BiNbO;的相对含量达94%)，与普通固相反应法相比合成温度 降低400℃左右，合成的粉体粒径约为65nm，比表面积为12.42m2/g;掺加O.Swt.% Cu0的0-BiNb04粉体，在900℃烧结3h，可获得相对密度达92.67%的陶瓷样品。 关键词:微波介质陶瓷;BiNb04;低温烧结:取代;非化学计量 Ahstract ResearchonLow-firingBiNb04BasedMicrowaveDielectric Ceramics NingWang(MaterialsScienceandEngineering) DirectedbyProf.Zhi-WenYinandMei-YuZhao Abstract BiNb04iswellknownas low-firingmicrowavedielectricceramicswith medium dielectricconstant.However,itstemperaturecoefficientofre