PN结正向压降与温度关系的研究-物理实验.docVIP

实验12 PN结正向压降与温度关系的研究 随着半导体工艺水平的不断提高和发展,半导体PN结正向压降随温度升高而降低的特性使PN结作为测温元件成为可能,过去由于PN结的参数不稳,它的应用受到了极大限制,进入二十世纪七十年代以来,微电子技术的发展日趋成熟和完善,PN结作为测温元件受到了广泛的关注。 温度传感器有正温度系数传感器和负温度系数传感器之分，正温度系数传感器的阻值随温度的上升而增加，负温度系数传感器的阻值随温度的上升而减少，热电偶、热敏电阻，测温电阻属于正温度系数传感器，而半导体PN结属于负温度系数的传感器。这两类传感器各有其优缺点，热电偶测温范围宽，但灵敏度低，输出线性差，需要设置参考点；而热敏电阻体积小，灵敏度高，热响应速度快，缺点是线性度差；测温电阻如铂电阻虽然精度高，线性度好，但灵敏度低，价格高。相比之下，PN结温度传感器有灵敏度高，线性好，热响应快和体积小的优点，尤其在数字测温，自动控制和微机信号处理方面有其独特之处，因而获得了广泛的应用。 一.实验目的 了解PN结正向压降随温度变化的基本关系，测定PN结特性曲线。 测绘PN结正向压降随温度变化的关系曲线，确定其灵敏度及PN结材料的禁带宽度。 学会用PN结测量温度的一般方法。 二.实验仪器 ．SQ-J型PN结特性测试仪，三极管（3DG6），测温元件，样品支架等。 三．实验原理 1．PN结特性的测量 由半导体物理学中有关PN结的研究可以得出PN结的正向电流与正向电压满足以下关系； =（exp-1） ⑴ 式中e为电子电荷量、k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，为反向饱和电流，它是一个与PN结材料禁带宽度及温度等因素有关的系数，是不随电压变化的常数。由于在常温（300K）下，kT/q=0.026,而PN结的正向压降一般为零点几伏,所以exp》1,上式括号内的第二项可以忽略不计,于是有 ⑵ 这就是PN结正向电流与正向电压按指数规律变化的关系,若测得半导体PN结的关系值,则可利用上式以求出e/kT.在测得温度T后,就可得到e/k常数,将电子电量代入即可求得玻尔兹曼常数k。 在实际测量中，二极管的正向关系虽能较好满足指数关系，但求得的k值往往偏小，这是因为二极管正向电流中不仅含有扩散电流，还含有其它电流成份。如耗尽层复合电流.、表面电流等。在实验中,采用硅三极管来代替硅二极管，复合电流主要在基极出现，三极管接成共基极线路（集电极与基极短接），集电极电流中不包含复合电流。若选取性能良好的硅三极管，使它处于较低的正向偏置状态，则表面电流的影响可忽略。此时集电极电流与发射极—基极电压满足⑵式，可验证该式，求出准确的e/k常数。 2．PN结正向压降随温度变化灵敏度S的测量 由物理学知，二极管的反向饱和电流与绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶间的电势差有如下关系： ⑶ ⑶式中，r是常数，C是与结面积、掺杂浓度等有关的参数，将⑶式代⑴式后两边取对数得 ⑷ 其中 ⑷式即为PN结正向压降、正向电流和温度间的函数关系，它是PN结温度传感器工作的基本方程。若保持正向电流恒定即常数，则正向压降只随温度变化，显然，⑷式中除线性项外还含有非线性项，但可以证明当温度变化范围不大时（对硅二极管来说，温度范围在-50℃-150℃）引起的误差可忽略不记。因此在恒流供电条件下，PN结的正向压降对环境温度T的依赖关系主要取决于线性项，即PN结的正向压降随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的依据。但必须指出，这一结论仅适用于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间。若温度过高或过低（不在上述温度范围），则随着杂质电离因子减少或本征载流子迅速增加，关系的非线性变化将更为严重，说明特性还与PN结的材料有关。实验证明，宽带材料（如GaAs）构成的PN结，其高温端线性区宽，而材料（如Insb）杂质电离能小的PN结，其低温端的线性区宽，对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其线性度随温度的高低也有所不同，这是非线性项引起的。由⑷式可以看出，减小，可以改善线性度，但这不能从根本上解决问题，目前行之有效的方法是利用对管的两个be结（即三极管基极和集电极短路后与发射机组成一个PN结）分别在不同电流下工作，得到两者电压差与温度间的线性关系： 使之与单个PN结相比线性度与精度有所提高。将这种电路与恒流、放大等电路集成一体，便构成集成电路传感器。 四.实验装置 实验用具由样品架和测试仪两部分构成,样品架