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答辩ppt铜基底上生长石墨烯单晶的研究
铜基底上生长石墨烯单晶的研究;一、前言
二、铜基底上石墨烯单晶的生长
三、生长机理探讨
四、总结与展望;石墨烯及石墨烯单晶;极高的载流子迁移率（20,000 cm2/Vs）
优异的光学性能（单层透光率达97.7%）
极高的热导率（5,300 W/mK，10倍于铜）
优异的力学性能（杨氏模量可达1,100 Gpa）
;当前面临的问题及解决方法;实验思路;一、前言
二、铜基底上石墨烯单晶的生长
三、生长机理探讨
四、总结与展望;固态铜基底前处理过程——电抛光;固态铜基底前处理过程——高温退火;固态铜基底生长石墨烯单晶结果;直接使用固态铜作基底而不采取特殊基底控制方法，较难生长出毫米级以上的石墨烯单晶。;液态铜基底生长石墨烯单晶实验过程;液态铜基底生长石墨烯单晶结果;液态铜基底较易生长出六角形的石墨烯单晶，但尺寸很难超过百微米级以上。;一、前言
二、铜基底上石墨烯单晶的???长
三、生长机理探讨
四、总结与展望;单晶生长过程——甲烷高温催化分解
;单晶生长过程——成核及生长;降温速率对单晶生长的影响;降温时保护性气体的影响;一、前言
二、铜基底上石墨烯单晶的生长
三、生长机理探讨
四、总结与展望;总结与展望;参考文献;致谢;敬请各位老师批评指正！
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