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2010615自旋电子学中科院
纵向电阻是0,Hall电阻是 例如M=0,Hall电导在半整数 在这 区域,只有QHE. 纵向电阻是 Hall电阻是 在这区域,有QHE和QSHE Hall电阻是0,纵向电阻是 这时只有QSHE. 纵向电阻是 这时的现象与前人QSHE的现象完全一样,但是起因完全不同。 沿着 =0的线,体系有CT不变 CT不变的QSHE ! 沿着固定M的曲线: 电阻平台很平,并且与理论值很好相符! QSHE可以从纵向电阻的量子化中测到。但是,由 于体系中可能存在自旋翻转的散射,这使得量子化 的纵向电阻仅仅在介观体系存在,在宏观体系纵向 电阻会大大的偏离量值化值。 Konig … Science 318, 766(2007). H Jiang, SG Cheng, QF Sun, XC Xie, PRL 103, 036803 (2009) 四端体系的自旋Hall阻Rs : 边界条件:开路, * * 例如: 无序对Rs的影响: 中等无序时,Rs的量子化平台依然存在。 在很强无序时,尽管Rs的量子化平台被破坏,但Rs不趋向0。这意味着,尽管QSHE被破坏,但SHE依然存在。 我们提出稳恒的自旋流能产生电场,预言仅有自旋轨道耦合的体系存在持续自旋流。 发现位相退相干对拓扑绝缘体几乎没有影响,但自旋退相干对拓扑绝缘体有极大影响。再者, 我们在铁磁石墨烯体系中,预言了一种新类型的拓扑绝缘体:CT不变拓扑绝缘体。 自旋电子学是一门新兴的学科,有很多的问题有待于我们进一步的研究。最后,我们也期望自旋流能象电(荷)流那样,具有广泛的应用前景,能制造出丰富多彩的自旋电子器件。使大家的生活更美好。 五、总结 合作者: 谢心澄教授,中科院物理所和Oklahoma State Univ. 王健教授,香港大学 博士生:江华、成淑光、邢燕霞。 感谢大家的出席!!! 感谢国家自然科学基金委和科技部对本课题研究的支持! 量子Hall效应对退相干有很强的抵制能力。 但即使很小的退相干对自旋Hall效应也有很大的影响。 Y.X. Xing, Q.f. Sun, and J. Wang, PRB 77, 115346(2008) 2、量子自旋Hall效应和拓扑绝缘体 存在边态,自旋相反电子向相反方向运动; 体材料是绝缘,存在能隙。 比较绝缘体、量子Hall体系、和量子自旋Hall体系的电子运动和能带结构 量子自旋Hall效应存在二个要素:自旋轨道耦合和特殊能带结构 最早提出量子自旋Hall效应的是Kane和Mele在单层石墨体系。 C.L. Kane and E.J. Mele, PRL 95,226801(2005); PRL 95,146802 (2005). 下面我简单介绍Zhang SC在HgTe/CdTe量子阱的一个工作: B.A. Bernevig, et al. Science 314,175(2006). 量子阱内的能带发生翻转。 Ef 边态出现,电导量子化: 普通情况,没有QSHE 翻转情况,QSHE: 实验结果: Konig … Science 318, 766(2007). 但是,只在介观体系(1X1 和1X0.5 )看到, 在宏观体系(20X13.3 )没有。为什么? * 问:量子自旋Hall效应有没有象量子Hall效应那样抵抗杂质、无序、退相干干扰的能力。 * 3D拓扑绝缘体: L. Fu, C.L. Kane, E.J. Mele, PRL 98, 106803 (2007) 体态是绝缘,存在能隙。 表面态是金属的。 由自旋轨道耦合和特殊能带结构引起。 D. Hsieh, et al., Nature 452, 970 (2008) 实验上,用角分辨光电子能谱(ARPES)已观测到表面态: 在Bi1-xSbx合金 到目前,3D拓扑绝缘体已有非常多的工作: H. Zhang, et al, Nature Phys. 5, 438(2009). 发现Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3等是拓扑绝缘体。并且Bi2Se3的体态能隙很大,0.3eV;只有一个Dirac点。 YL Chen, et al, Science 325, 178(2009). 看到Dirac点,并实现到费米面的调节。 H. Peng, et al, Nature Mat. 9, 225(2010). 测Bi2Se3的输运性质,观测到AB效应和反弱局域化。 3、退相干对拓扑绝缘体的影响 二类退相干: 普通退相干:丢失位相记忆,但保持自旋相干记忆 自旋退相干:位相和自旋相干都丢失。
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