2010615自旋电子学中科院.ppt

纵向电阻是0，Hall电阻是 例如M=0，Hall电导在半整数 在这 区域，只有QHE. 纵向电阻是 Hall电阻是 在这区域，有QHE和QSHE Hall电阻是0，纵向电阻是 这时只有QSHE. 纵向电阻是 这时的现象与前人QSHE的现象完全一样，但是起因完全不同。 沿着 =0的线，体系有CT不变 CT不变的QSHE ！ 沿着固定M的曲线： 电阻平台很平，并且与理论值很好相符！ QSHE可以从纵向电阻的量子化中测到。但是，由 于体系中可能存在自旋翻转的散射，这使得量子化 的纵向电阻仅仅在介观体系存在，在宏观体系纵向 电阻会大大的偏离量值化值。 Konig … Science 318, 766(2007). H Jiang, SG Cheng, QF Sun, XC Xie, PRL 103, 036803 (2009) 四端体系的自旋Hall阻Rs ： 边界条件：开路， * * 例如： 无序对Rs的影响： 中等无序时，Rs的量子化平台依然存在。 在很强无序时，尽管Rs的量子化平台被破坏，但Rs不趋向0。这意味着，尽管QSHE被破坏，但SHE依然存在。 我们提出稳恒的自旋流能产生电场，预言仅有自旋轨道耦合的体系存在持续自旋流。 发现位相退相干对拓扑绝缘体几乎没有影响，但自旋退相干对拓扑绝缘体有极大影响。再者， 我们在铁磁石墨烯体系中，预言了一种新类型的拓扑绝缘体：CT不变拓扑绝缘体。 自旋电子学是一门新兴的学科，有很多的问题有待于我们进一步的研究。最后，我们也期望自旋流能象电(荷)流那样，具有广泛的应用前景，能制造出丰富多彩的自旋电子器件。使大家的生活更美好。 五、总结 合作者: 谢心澄教授，中科院物理所和Oklahoma State Univ. 王健教授，香港大学 博士生：江华、成淑光、邢燕霞。 感谢大家的出席！！！ 感谢国家自然科学基金委和科技部对本课题研究的支持！ 量子Hall效应对退相干有很强的抵制能力。 但即使很小的退相干对自旋Hall效应也有很大的影响。 Y.X. Xing, Q.f. Sun, and J. Wang, PRB 77, 115346(2008) 2、量子自旋Hall效应和拓扑绝缘体 存在边态，自旋相反电子向相反方向运动； 体材料是绝缘，存在能隙。 比较绝缘体、量子Hall体系、和量子自旋Hall体系的电子运动和能带结构 量子自旋Hall效应存在二个要素：自旋轨道耦合和特殊能带结构 最早提出量子自旋Hall效应的是Kane和Mele在单层石墨体系。 C.L. Kane and E.J. Mele, PRL 95,226801(2005); PRL 95,146802 (2005). 下面我简单介绍Zhang SC在HgTe/CdTe量子阱的一个工作： B.A. Bernevig, et al. Science 314,175(2006). 量子阱内的能带发生翻转。 Ef 边态出现，电导量子化： 普通情况，没有QSHE 翻转情况，QSHE： 实验结果： Konig … Science 318, 766(2007). 但是，只在介观体系（1X1 和1X0.5 ）看到， 在宏观体系（20X13.3 ）没有。为什么？ * 问：量子自旋Hall效应有没有象量子Hall效应那样抵抗杂质、无序、退相干干扰的能力。 * 3D拓扑绝缘体： L. Fu, C.L. Kane, E.J. Mele, PRL 98, 106803 (2007) 体态是绝缘，存在能隙。 表面态是金属的。 由自旋轨道耦合和特殊能带结构引起。 D. Hsieh, et al., Nature 452, 970 (2008) 实验上，用角分辨光电子能谱(ARPES)已观测到表面态： 在Bi1-xSbx合金 到目前，3D拓扑绝缘体已有非常多的工作： H. Zhang, et al, Nature Phys. 5, 438(2009). 发现Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3等是拓扑绝缘体。并且Bi2Se3的体态能隙很大，0.3eV；只有一个Dirac点。 YL Chen, et al, Science 325, 178(2009). 看到Dirac点，并实现到费米面的调节。 H. Peng, et al, Nature Mat. 9, 225(2010). 测Bi2Se3的输运性质，观测到AB效应和反弱局域化。 3、退相干对拓扑绝缘体的影响 二类退相干： 普通退相干：丢失位相记忆，但保持自旋相干记忆 自旋退相干：位相和自旋相干都丢失。