led芯片制造过程详解.ppt

* * ITO蒸镀机 Temperature：200℃ O2：8.5 * 湘能华磊光电股份有限公司 * ICP 曝光机 * * PECVD 蒸镀机 LED-芯片制造工艺简介 LED本质 LED的本质就是一个PN结，通过P区空穴和N区电子的复合而释放光子，是由电能直接到光能的转换，所以LED又被称为冷光源，传统的白炽灯是有电能加热灯丝，及由电能到热能，再由热辐射出光，这也是LED发光效率高的根本原因。 顏色區別 波長與顏色的關係 光依人眼可察覺程度可區分為 可見光：波長介於760nm與380nm 不可見光：波長大於760nm或小於380nm 紅外 紫外 700 650 550 450 400 380 760 目前我司生产的LED 目前我司生产的LED主要以波长为440-460nm之间的蓝光LED芯片 * 湘能华磊光电股份有限公司 * 外延生长 芯片前工艺 研磨、切割 点测、分选 检测入库 * * * * 外延生长：MO源及NH3由载气传输到反应室，以质量流量计控制气体流量，反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。 主要设备有MOCVD. * * 蓝宝石衬底 GaN缓冲层 N型GaN : Si 发光层（InGaN/GaN） P型GaN：Mg P型InGaN-金属接触层 * * 芯片制造工艺流程图 去铟球清洗 去铟球清洗采用ITO（氧化铟锡）腐蚀液，33℃水浴下30min左右。 外延片清洗 外延片清洗采用H2SO4：H2O2：H2O=5：1：1，60℃水浴，30sec ITO蒸镀 ITO层既导电层和透光层 P-Mesa光罩作业 阴影部分为铬，紫外光无法透过，被光照区域光刻胶被显影液除去，留下刻蚀区域。 N-ITO蚀刻前预处理 利用氧气加射频将ITO欲蚀刻区域轰击干净，防止留有残胶，影响蚀刻效果。 ITO蚀刻（不去光阻） 将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀10min P-mesa刻蚀 利用ICP刻蚀机，主要气体为CL2和BCL3,主要作用离子为氯离子，现刻蚀深度带ITO测量为12000?左右。 去光阻 去光阻后片上图形，紫红色区域为ITO。 ITO光罩作业 将所需P区图形留出，待下一步去除P区ITO。 P-ITO蚀刻前预处理 原理同N-ITO蚀刻前预处理 ITO蚀刻 将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀7min 去光阻 N区P区均显露出来，为下步蒸镀电极做准备 ITO熔合 熔合目的： 主要使ITO材料更加密实，透光率增加，降低电压，使ITO层与GaN衬底形成良好的欧姆接触。 熔合条件： 温度：500℃，10min N/P电极光罩作业 采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液去掉，留下电极蒸镀区域。 N/P电极蒸镀金属剥离 采用蒸镀机，电极分三层：Cr﹨Pt﹨Au,厚度分别为：200?﹨ 300? ﹨ 12000? SiO2沉积 采用设备：PECVD 主要气体：SiH4/N2O SiO2作用：保护芯片，增加亮度 金属熔合 熔合目的： 增强欧姆接触，提高稳定性 熔合条件： 温度：250℃，5min 开双孔光罩作业 将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀刻 SiO2蚀刻 将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸腐蚀35sec,露出电极。 去光阻 左图绿色阴影区域为SiO2，黄色阴影区域为金属电极。 * * 单颗晶粒前工艺后成品图