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4.1~4.3场效应管的基本问题（自学）
* 4.1~4.3 场效应管的基本问题（自学） 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 场效应管根据结构不同分为哪两大类？ 何谓耗尽型？何谓增强型？VP夹断电压和VT开启电压分别是何种类型场效应管的重要参数之一？ 场效应管有哪三个电极？和BJT管如何对应？ 场效应管的两个电压VGS和VDS分别起何主要作用？ 场效应管输出特性曲线分为哪几个区？作放大时工作在哪个区？为什么？ 场效应管是双极型 ？单极型？电压控制器件还是电流控制器件？它的输入电阻如何？ 根据场效应管特点作放大时，应如何合理设置Q点？ 针对以下问题，自学JFET和MOSFET，了解MESFET： N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 FET分类： 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有 导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有 导电沟道 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. 自偏压电路 3. 静态工作点的确定 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 2. 分压式自偏压电路 1. 自给偏压共源放大电路 vGS vGS = - iDR 此电路只能用于耗尽型FET，亦称自偏压电路 2. 分压式自偏压电路 此电路既适用于耗尽型FET又适用于增强型FET Q点： VGS 、 ID 、 VDS vGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - iD (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 3. 静态工作点的确定 1. FET小信号模型 2. 动态指标分析 3. 三种基本放大电路的性能比较 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）中低频模型 （2）高频模型 在高频时，极间电容不能忽略，需用高频模型分析 2. 动态指标分析 （1）中低频小信号模型 （共源电路，分析方法同BJT） 其微变等效电路 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rD 由输入输出回路得 则 通常 则 * *
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