电化学阳极氧化生长纳米晶光催化TiO2薄膜.pdfVIP

电化学阳极氧化生长纳米晶光催化Ti0:薄膨 沈嘉年，宋江江，李凌峰 (上海大学材料研究所，上海市延长路1”号，200072 E-mail Tel:021Fax:021 摘要 Ti0:作光催化环晚净化材抖的研究方兴未艾，各种纳米结构Ti02的制备技术也在不断 研究发展中.本文研究电化学阳极氧化方法在钦上制备纳米晶TiO:薄膜过程，研究表明，将 工业纯钦片幕露于电介质溶液并加一定电压，钦表面将氧化生长TiO:薄膜.适当控制氧化电 压、溶液温度，可以得到非晶氮化膜，再进行控制条件下的晶化处理，得到锐钦矿相纳米晶 T10,薄膜.研究了电化学氧化过程氮化膜生长动力学，发现在 0-80V电压范困内，氧化膜随 电压增加而增厚，在一定电压下氧化膜有一恒定的厚度，载化膜厚度和氮化电流随时间而逐 步降低呈对数规律.DSC热分析侧定表明非晶筑化膜的起始晶化温度约为 120-150C.对电 化学载化得到的非晶氮化膜进一步晶化处理表明，在 150℃空气中处理约8小时，可得到部 分晶化的锐钦矿相T102膜，其晶粒度约在10-5Onm.用TEM,x一衍射表征TiO:薄膜的晶体形 貌与相fo梅 关健词:电斗它学，二氧化伙薄膜，纳米晶 1.前言 Ti0-.作为光催化环境净化材料的研究方兴未艾，Ti仇结构尺寸的纳米化，可以产生量子 化效应，大大提高催化活性 一2‘。各种纳米结构Ti仇的制备技术在不断研究发展中 作为光催 化剂应用时。纳米T上0.粉体必须要解决易团聚及固定的难题，近年来发展了物理气相沉积 (PVD)制备Ti仇光催化薄膜的方法，它可以在玻璃等各种不同基体上沉积纳米晶TiO,薄膜， 但它也存在沉积速度慢，效率低，成本较高等不足。一些新的制备纳米结构TiO,思想和技术 也在不断研究发展中。 考虑金属钦暴露于氧化性电介质溶液中并加一定电压，钦表面将发生氧化，生长TiO, 薄膜，目前对金属铝的阳极氧化过程研究较成熟，钦的标准电位为一1.63V,与铝相近(- 1.67V)，并且它们的化学性质也较为相近，但钦阳极氧化过程的研究远不及铝与铝合金 的系统与深入.作为钦阳极氧化的一些基本过程如:氧化膜生长动力学?特别是与光催 ’国家自然科学基金资助项目 F1以) 化有关的关键问题如:阳极氧化膜的晶体与相结构，光吸收特性等尚未认识掌握 “。 同时对粉体的研究表明只有结晶良好的二氧化钦才具有光催化活性。因此考虑阳极 氧化膜以光催化为应用背景时，需要认识阳极氧化得到的非晶Ti仇膜的晶化将非晶转 变为纳米晶过程和伴随的从锐钦矿向金红石相变过程。 2.实验过程与方法 以工业纯钦片作氧化样品，以同种钦片作对电极，样品厚度约0.3mm，表面积约 3cm= 电介质溶液以磷酸为基本成分，由恒温水浴控制溶液温度。氧化电源为交流调压式稳压电源 将电化学氧化后的样品用HCl+NaF溶液溶解基体金属，制备透射电镜薄膜样品，以观 察分析二氧化钦薄膜的晶体形貌与相结构。 用椭圆偏光仪和涡流测厚仪测定氧化膜厚度。 3 实验结果与讨论 3.1TiO2薄膜生长动力学 氧化电压为80v的氧化膜生长动力学曲线如图1所示，开始氧化膜生长较快，随时间逐 渐减慢.到一定时间后氧化膜基本不再增厚，达到恒定厚度。其它氧化电压下的动力学也具 类似的规律 假设离子(Ti,。一:)通过氧化膜迁移是Ti姚膜生长的限制步骤，氧化膜较薄时，膜中存 在很大的电位梯度E使离子迁移的势垒下降 根据Mott理论 “离子电流i;a为 i;e=A-exp(ZaeE/2kT) 式中Z_ 离子的价数:一 势垒的谷间距 气 么 巴 . 乏 派 1 1 J 含 1 乍 、 - ︸ 1 矛 盆 竺 乍 ︺ 马