基于BCD工艺的高压PMOS器件设计.pdfVIP

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2018-01-12 发布于未知
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基于BCD工艺的高压PMOS器件设计.pdf

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I四J 2008年12月 Jl省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会论文集基于BCD工艺的高压PMOS器件设计张彦昭乔明毛煜张波【电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054) 摘数，包括漂移区浓度、场板长度等进行优化设计。获得了满足高功率BeD工艺电压电流要求的高压PMOS，并有流片测试结果。该实验结果应用于一款集成电路产品设计中．关键词：BeD工艺PMOS击穿电压场板长度 of PMOSDeviceBaseonBCD DesignHighVoltage Technology Yanzhao MaoKun Bo Zhang QiaoMing Zhang ThinFilmsand (StatekeyLaboratoryofElectronic IntegratedDevices,UESTC,Chengdu kind PMOSdevicebasedonBCD and ABSTRACT：Thisa of pap簟designshighvoltage technology．byanalysis simulation of as ofdrift tools，this PMOS，such platelength．At paperoptimizeparameters density region，field andcurrent simulation obtaintheresultthatfulfillsthe demandofbreakdown last，we design voltage ability．This ‘ been usedinakindofIC resulthas successfully ohip． words：BCD PMOSBreakdown Key technology voltage 高的集成电路产品。 1 引言在BeD工艺制作的电路中，经常运用CMOS 电路实现低功耗的目的，其中的PMOS器件也经 BCD工艺是一种将bipolar、CMOS、DMOS器常被用于高压开关控制管。因此，对PMOS器件件集成在单片集成电路中的工艺。使用该工艺制进行优化设计显得尤为重要。作的电路，综合了上述三类器件的优点，同时减本文介绍一种基于自主设计的BCD-r艺中少传统电路系统中的导线互联，从而提高了电路