氧化锌薄膜掺杂研究的新进展.pdfVIP

卷增刊2 中国有色金属学报 1998年9月 V8..1X8 反 。 1998 Suppl.2 TheChineseJournalofNonferrousMetals 氧化锌薄膜掺杂研究的新进展 赵谢群 邱向东 (北京有色金属研究总院603室，北京100088 摘 要 综述了拾杂Al,Ga,In,Ge,Cu.Li和Pb等元素对Zn0薄膜的微结构及电、光、气敏等性 质的影响。 关健词 ZnO薄膜 播杂 性质 ZnO薄膜在透明电极、液晶显示、压电器 大，电导率与霍尔迁移率在A1/Zn摩尔比为 件、气体传感器等众多领域具有广泛应用前 0.009时有最高值。这一现象的成因是A13+在 景。掺铝的氧化锌薄膜 (表示为ZnO:Al或 Zn2十位置的取代掺杂造成了一个额外的自由 AZO 的导电性能比纯ZnO薄膜显著提高，可 载流子，当掺杂水平升高时，更多的掺杂原子 见光波段透光性能也部分得到改善，可与目前 占据Zn原子晶格位置，导致产生了更多的载 应用的氧化锢锡 (ITO)或氧化锡 (Snq)透 流子，因而，电导率随掺杂量升高。然而，掺 明电极相比，使ZnO薄膜用作透明导体成为 杂浓度升高到一定值后，晶粒与晶界中的掺杂 可能。AZO膜不仅透明导电性能好，而且稳定 原子趋于饱和，这时过高的掺杂浓度导致离化 性高，是700K以下温度范围内在氢等离子体 杂质散射，使薄膜的霍尔迁移率下降[(2) 气氛中唯一稳定的透明导电薄膜川。因此适用 在用溅射法制备AZO膜时，分为单靶溅 于太阳电池透明电极，有可能取代 ITO和 射与双靶溅射。文献 3【1认为在纯Ar气氛中溅 SnO电极，推动廉价太阳电池的发展。其它 射制备的ZnO膜存在缺乏Zn的问题，掺AI可 补偿Zn缺陷，增加施主浓度，从而使载流子 Ga,In,Li和Pb等的掺杂同样使ZnO薄膜材 浓度增加而霍尔迁移率不变。Park将高纯ZnO 料特性发生相应的改变，因而可应用于不同技 与不同含量的A1z0;粉烧结成靶，在衬底温度 术领域.提高器件水平。 1501;、射频功率150W,溅射靶含3%(质量 分数)A1Z几时得到光透过率高于90%、电阻 1Al的掺杂 率4.7x10-0S2cm的AZO膜，载流子浓度从 不掺杂时的8.7x10，9cm-3升高到7.5X10 应用各种方法制备ZnO薄膜时均可容易 cm-a。图2为Al掺杂量对薄膜透光率的影响， 地实现Al的掺杂.掺杂的最佳剂量与掺杂效 可见，适当掺杂可改善ZnO薄膜在380一500 果因方法和工艺参数而异。应用真空热蒸发工 nm蓝绿光区的透光性能，且使光能隙发生蓝 艺，Ma等121以醋酸锌和AIC13为原料制备了 移，并得出蓝移程度与载流子浓度的1/3次方 AZO膜。在同样的工艺条件下，AZ(〕膜比ZnO 成正比的结论〔oHeerden等用喷射热分解法 的衍射峰高且半高宽小，二者电导率的比较示 制备AZO膜。着重研究了掺杂后的晶体结构， 于图1,掺杂样品比不掺杂样品电导率提高6 发现当掺杂量为0.5%(摩尔分数)时可获得最 个数量级，极大值达2.3x10252-·cm一’。Al 佳的(002)AZO衍射峰。目前，用AZO膜做 的掺杂量对薄膜电导率的影响示于图1。研究 透明电极用于大阳电池[[5.s〕和液晶显示7〔〕的研 还表明载流子浓度随掺杂量增加几乎呈线性增 究正在进行中。