微星MS7309主板上电时序.doc

微星MS7309主板时序 第一部分：等待开机 待机有三个条件：3VSB、25M晶振、PWRGD_SB。 一、纽扣电池供电： 纽扣电池（此时不插电源线）BAT经过双二极管D22以及D28为桥（PBGA692）提供基本供电VBAT，25M晶振起振。同时BAT还通过双二极管D22和电阻R699产生VBAT0链接到F71882的82脚，用于检测电池电量。 VBAT通过R6产生信号COPEN#送到I/O（F71889ED的83脚，使该脚为高电平。 二、插入ATX电源，+5SB为主板供电 1、5VDRV1的产生：当插入ATX电源，+5VSB为主板的部分电路供电，I/O的71脚（VCCGATE）为高电平，通过Q41产生5VDRV1.它的主要作用控制Q37的导通，提升3VDUAL的输出功率（用UP7704产生）；应用在3VSB_WAKE产生电路，同样提升3VSB_WAKE的功率。 2、VCC_5SB的产生： 当插入ATX电源，+5VSB通过Q110转换成VCC_5SB，主要是把电流从4A降低到2A。 5VSBDRV1的产生：IO的72脚产生DUALGATE信号，VCC5_SB经电阻R465和R466分压，产生此信号。 3、+3.3VDUAL的产生：产生方式可以有两种，一是通过1117来产生，二是通过UP7501来产生。 （1）、通过U28（RC117S）产生： 通过 （2）通过UP7704产生，其2脚受控于信号sys5VSB_OFF，这个信号由IO的47脚产生，同时控制USB接口和5vSB POWER SWITH。 4、VSB3V的产生：3VDUAL（1.2A）通过D32产生VSB3V为IO的65脚供电。 5、POWER GOOD_SB的产生 IO在工作条件正常的情况下，由81脚发出RSMRST#到桥的H6端（PWRGD_SB）通知桥电源准备好，DUAL电源稳定后该信号为高电平，同时加到Q80的G极，使Q80导通，3VDUAL代替CMOS电池为IO供电。 6、25M晶振要起振，两脚要有1.5V左右的电压，并且要有压差。 第二部分：开机过程 1、开机针PWSW+通过电阻R416接地，+5SB通过R417连接到PWSW-，提供上拉；当按下电源开关，产生信号PSIN#，通过R418送到IO的第76脚，77针产生信号PWRBTN#送到桥的G4端，桥依次拉高SLP_S5#、SLP_S3#，这两个信号分别送到IO的73脚、75脚，79脚产生信号PS_ON#直接拉低ATX电源的16Pin的电压，ATX电源开始启动，提供5V、±12V、3.3V电压。 2、ATX_PWROK信号 当ATX电源的各种供电稳定后，延迟300-500毫秒，ATX电源的8脚产生信号ATX_PWROK，这个信号分三路，第一路送到5VDIMM产生电路（参考下页图）；第二路送到DDR1.8V产生电路；第三路送到IO的第74针。 3、5VDIMM的产生： ATX_PWROK、SLP_S5#、SLP_S3#同时作用于UP7501M8使其7、8脚分别产生5VSB_DRV和5VCC_DRV，控制Q7（NP_P2003ND5G_TO252-5-RH）输出5VDIMM，为VCC_DDR产生电路供电，同时输出USB_DRV信号控制基准参考电压的产生，同时输出到USB接口供电电路。 4、参考电压的产生：在5VDIMM的产生过程，产生USB_DRV信号，桥的D2、E2端分别输出总线的时钟信号和数据信号（3.V高电平），在供电正常的情况下，UP6264输出1.5V基准电压、1.2V基准电压、0.9V芯片基准电压。 5、内存供电：UP6103的5脚VCC供电，通过双二极管D4供电；+12V通过D4、D5送到1脚BOOT，在参考电压正常的情况下，通过2、4脚输出UG、LG驱动Q16和Q15产生内存供电VCC_DDR（1.8V 18A）。内存电路基准电压是由UP7711产生的。VTT_DDR（0.9V 0.83A） 6、MEM_VLD信号的产生 VCC_DDR产生后，加到Q33（CMKT3904-SOT363-6）的5脚，6脚产生MEM_VLD信号，送到桥的J3端，通知桥内存供电已经稳定。 7、DDR_PWRGD产生：当内存供电产生后，由Q9产生DDR_PWRGD信号，送到940座的F3端，通知CPU内存供电已经准备好。 8、桥的主供电VCC1.2以及桥PWR_GD的产生 在电压参考正常时，由LM358和Q30产生1.2V（10.5A）桥PBGA692的主供电，ATX_PWROK这个信号通过D16和Q32产生信号PWR_GD，送到桥的G2端，通知桥主板ATX电源供电都已经准备好。 8、MEM_VLD信号：当内存供电产生后，由Q33产生信号MEM_VLD，送到桥的J3端，通知桥内存供电已经稳定。 9、VCORE_EN