电子电路基础 第3章场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

第三章：场效应晶体管及其放大电路 邓 钢 Gdeng@263.net 内容提要 N沟道增强型场效应管的结构 N沟道增强型场效应管的基本工作原理(一) N沟道增强型场效应管的基本工作原理(二) N沟道增强型场效应管的基本工作原理(三) N沟道增强型场效应管的输出特性曲线(一) N沟道增强型场效应管的输出特性曲线(二) N沟道增强型场效应管的转移特性曲线(一) N沟道增强型场效应管的转移特性曲线(二) 上节内容回顾 MOS场效应管的击穿 MOS场效应管衬底调制效应(一) MOS场效应管衬底调制效应(二) P沟道增强型MOS场效应管(一) P沟道增强型MOS场效应管(二) 耗尽型MOS场效应管(一) 耗尽型MOS场效应管(二) 耗尽型MOS场效应管(三) 耗尽型MOS场效应管(四) MOS管类型总结 结型场效应管的结构 结型场效应管的基本工作原理(一) 结型场效应管的基本工作原理(二) 结型场效应管的基本工作原理(三) 结型场效应管的特性曲线 上节内容回顾 大功率管的作用 VDMOS型场效应管 IGBT型管 MOS场效应管的瞬态模型 MOS场效应管的微变信号模型 结型场效应管的微变信号模型 场效应管放大电路的要点 偏置变量的相关回顾 分压式偏置 自给偏压式偏置(一) 自给偏压式偏置(二) 场效应管的三种基本组态放大电路 场效应管基本共源放大电路 场效应管基本共栅放大电路 场效应管基本共漏放大电路 例题：分压-自偏压式共源放大电路 例题之静态分析 例题之动态分析 上节内容回顾 例题 例题 场效应管基本电流源(一) 场效应管基本电流源(二) 场效应管串联电流源 场效应管威尔逊电流源 MOS管有源电阻 NMOS管共源E/E型放大电路 NMOS管共源E/D型放大电路 CMOS共源放大电路 三种单级放大电路的主要性能比较 场效应管差分放大电路综述 MOS管基本差分放大电路(一) MOS管基本差分放大电路(二) MOS管基本差分放大电路(三) MOS管有源负载差分放大电路(一) MOS管有源负载差分放大电路(二) MOS管有源负载差分放大电路(三) 差放中的衬底调制效应 模拟开关综述 单管MOS模拟开关(一) 单管MOS模拟开关(二) 单管MOS模拟开关(三) 单管MOS模拟开关(四) CMOS传输门 CMOS模拟开关 CMOS模拟开关的应用举例 要求 习题说明 习题说明 习题说明 第四节：场效应管放大电路 以电流源作为有源负载的CMOS差放 第四节：场效应管放大电路 以镜像电流源作为有源负载的CMOS差放 可类比三极管差放电路 第四节：场效应管放大电路 请自行阅读课本 第五节：场效应管模拟开关 模拟开关：用于控制信号的通断 一个理想的模拟开关，接通时电阻为零，关断时电阻为无穷大。开关的工作速度要快且对其它电路的性能的影响要小 实际的模拟开关是由工作在开关状态的晶体管或场效应管组成，外加控制电压使晶体管交替工作在饱和区和截止区，或使场效应管交替工作在可变电阻区和截止区 第五节：场效应管模拟开关 由于N沟道MOS管的导通电阻小，单沟道模拟开关一般使用NMOS管 当栅极控制电压为低电平即 时，MOS管截止，开关断开 当栅极控制电压为高电平即 时，管子 ，MOS管导通，且由于负载电阻很大，管子工作于可变电阻区…，开关闭合 第五节：场效应管模拟开关 为使开关能正常工作，MOS管各极之间的电压必须满足一定条件 漏极与衬底、源极与衬底之间的PN结要保持反偏状态，所以图中MOS管的衬底接地，且不能输入负电位信号 栅极所加控制电压的高低电平与输入信号 的变化范围要配合得当，以保证MOS管可靠的通或断 开关的输入端与输出端可以互易使用 第五节：场效应管模拟开关 单管MOS开关的缺点：在开关的接通状态，接通电阻随输入信号变化较大 第五节：场效应管模拟开关 单管PMOS模拟开关 第五节：场效应管模拟开关 CMOS传输门由N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管并接构成。两管源极和漏极分别接在一起，并分别作为信号的输入、输出端。两管栅极施加反相的控制信号，其高电平为 ，低电平为零 当控制信号为高电平时 当控制信号为低电平时 CMOS传输门也可实现信号的可控传输 输入输出端可互换使用 第五节：场效应管模拟开关 由CMOS传输门(T1、T2)和CMOS反相器(T3、T4)组成。T1、T2两管的栅极施加反相的控制信号，使之开关工作 CMOS模拟开关扩大了输入信号的幅度范围,同时又保持了较小的导通电阻及其变化 第四节：场效应管放大电路 第四节：场效应管放大电路 第四节：场效应管放大电路 第四节：场效应管放大电路 分析方法与三极管放大电路相同，仍然是先静态后动态，既可以使用图解法又可以使用等效电路法 注意偏置电路的设置（对于不同