硅料清洗作业指导书.doc

清洗工艺指导书 目的 介绍清洗工艺的原理，目的，准备工作，操作流程，机械的使用和维护方法 2．内容 1．原理与目的 2．工艺操作流程 3．机械的使用方法 4．机械的维护 3．原理与目的 清洗工艺包括太阳能电池生产过程中，铸锭前硅料的清洗，其目的是使硅料表面清洁无杂质污染，从而提高硅片生产的质量。 根据污染物产生的原因, 大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。 (1) 颗粒: 硅粉、氮化硅粉、灰尘、细砂。 (2) 有机物杂质: 它在硅料上以多种方式存在, 如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物质通常都会对加工进程带来不良影响。 (3) 金属污染物: 它在硅料上以范德华引力、共价键以及电子转移等三种表面形式存在。对铸锭的少子铸命产生很大的影响。 (4)自然氧化膜： 在传统的RCA清洗法中SC－1主要用于清洗硅片表面的粒子，SC-2主要用于清洗硅片表面的金属沾污，而DHF用于去除氧化层，SPM用于去除硅片表面的有机沾污。 SC-1清洗 SC-1清洗液由NH4OH、H2O2和H2O组成，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜（SiO2），呈亲水性，硅表面和粒子之间可用清洗液浸透。由于硅表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅表面的同时，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。 在硅片表面与粒子之间存在两种相互的作用力：范德化力和电偶层相互作用力。当电位为同极性时，粒子必须越过位垒才能向硅表面附着，此时很难发生颗粒吸附现象，Si的电位为负，而大部分粒子只有在碱性条件下电位才为负。 在规模生产中，一般采用HF+HNO3 作为腐蚀液与硅材料发生化学反应。为了降低剥离层厚度，对于反应温度、时间的控制非常关键。对于块状料，由于其形状不规则且处理过程互相堆叠，增加了清洗及干燥的难度我们在经过多次试验后发现：对腐蚀槽溶液降温能有效控制反应速度、降低材料损失并可以获得更好的表面质量。通过QDR、阶梯溢流、加热超声的依次水洗，可以将残留酸液去除。热氮吹扫去除水滴，真空加热干燥对于堆叠工件(块状料)的干燥效果良好。硅棒/ 硅芯清洗设备工位排布：酸腐蚀→QDR/溢流水洗→超声水洗→热氮吹扫。 Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 3Si+4HNO3=3SiO2+4NO ↑ +2H2O SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO ↑+8H2O 当HF/HNO3=4.5时及比值在其附近时，硅的腐蚀速度最大。 氢氟酸含量比较高时，硝酸是动力主要试剂。硝酸浓度的稍微减小能很快降低反应速度。即使氢氟酸浓度有少量变化，仍有足够的量去溶解硅表面的氧化膜。反应速度变化不大。这时可认为面一旦被硝酸氧化，SiO2完全被氢氟酸溶解，反应速度决定于 HNO3氧化硅速度。 当硝酸过量时，在高硝酸区域，在这个区域 HF 酸在动力学上起着重要作用。氢氟酸少量的变化能明显改变硅片的腐蚀速度。反应过程中硅片表面始终覆盖着氧化膜，即使硝酸浓度有少量变化，仍有足量的硝酸氧化硅表面，硝酸含量的减小只能使氧化膜变得纤细。硅片腐蚀速度决定于 HF 酸与氧化膜的接触速率即氢氟酸从溶液中扩散到硅片表面的速率决定。高硝酸区域，温度的影响相对较小。 4．工艺操作流程 4.1 准备部分 4.1.1 进入净化室时必须穿好工作衣、工作鞋，戴工作帽，清洗操作时必须佩戴防酸碱手套和口罩。 4.1.2 用专用毛巾清洗工作台，保证工作台面的清洁度。 4.1.3 打开去离子水和氮气总开关，去离子水空放5分钟去处管道里的死水（如果没有间断使用可以不用放空死水），然后将各槽水注到标定水位（楼上各槽 64000mL，清洗机80000mL）由槽上水位线和水位监控器标定。 4.1.4 准备整理当天所用的原材料，领取化学品原料，按照当天的生产产量要求领取相应的酒精，NaOH，双氧水，HCL，HF，专人负责，放置在车间的规定区域（一般原料应由上一班人领好准备） 按照当天的产量： 液体NaOH：80000mL 30%的（两次）20L准备液面降低添加 固体NaOH：每绒面槽固体640g；添加150g/200片 酒精：每绒面槽起始 8000mL，添加4000mL/200片 HCL：每酸洗槽4瓶（每瓶2.5L）； H2O2：每酸洗槽10L； HF：每洗磷槽16瓶（250mL/瓶）每4000片全换一次 4.1.5 预热升温，待减薄80摄氏度，酸洗80摄氏度，绒面85摄氏度，所有温差不超过两度，准备配液。 4.1.6 在各槽按照要求开始