第七章 双极型晶体管培训课件.pptVIP

第七章 双极型晶体管 基本结构 载流子流动情况及工作原理 理想晶体管的直流输入输出特性 二级效应 击穿特性 高频特性 开关特性 晶体管模型 双极型晶体管的结构 晶体管结构示意举例 晶体管的工作原理 晶体管中的电流传输 共基极电流放大系数 共发射极电流放大系数 晶体管中的少子分布 晶体管的直流特性 共基极输入、输出特性 共发射极输入、输出特性 发射极电流集边效应 基区宽度调变效应（Early效应） Early效应对共基极输入、输出特性影响 Early效应对共射极输入、输出特性影响 Kirk 效应（有效基区扩展效应） Kirk 效应（有效基区扩展效应） 晶体管的击穿特性 晶体管的高频效应 晶体管的高频特性 晶体管的高频特性 晶体管的开关特性 ?? 截止电流 晶体管的开关特性 ?? 饱和现象 晶体管的开关特性 ?? 饱和压降 晶体管的开关特性 ?? 开关时间 晶体管的开关特性 ?? 储存时间 晶体管的开关特性 ?? 储存时间 共基极低频小信号模型 多晶硅发射极BJT 工艺：在发射区窗口淀积多晶硅，然后进行发射极扩散。这时磷（或者砷）在多晶层很快扩散而到单晶区扩散速度减缓，形成浅、侧向扩散小而陡峭的杂质分布 特点：自对准（有利于减小器件尺寸）、高发射系数。 重点内容 决定电流增益的因素 提高频率特性的途径 提高开关速度的途径 改善小电流特性的途径 改善大电流特性的途径 比较MOSFET